International Journals
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Design and Fabrication of GaN p-n Junction Diodes with Negative Beveled-Mesa Termination”,
IEEE Electron Device Lett., 40, 6 (2019).
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Shockley-Read-Hall Lifetime in Homoepitaxial p-GaN Extracted from Recombination Current in GaN p-n+ Junction Diodes”,
Jpn. J. Appl. Phys., 58, SCCB14 (2019).
Conference Proceedings
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Estimation of Impact ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurements Utilizing Franz-Keldysh Effect”,
Proceedings of the 31st IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices&ICs (ISPSD), pp. 59-62 (2019).
International Presentations
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Estimation of Impact ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurements Utilizing Franz-Keldysh Effect”, 31st
IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices&ICs (ISPSD2019), (Shanghai, China, 2019), B1L-A-1.
J. Suda, “Development of Vertical GaN Power Devices”,
13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), PL01.02, Plenary Talk
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Estimation of Impact Ionization Coefficient in GaN and Its Temperature Dependence by Photomultiplication Measurements Utilizing Franz-Keldysh Effect”,
13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), B04.07.
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Determination Methods of H1 Trap Concentration in N-Type GaN Schottky Barriers via Sub-Bandgap-Light Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy”,
13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), J01.03.
K. Aoshima, M. Horita, S. Kaneki, J. Suda, and T. Hashizume, “Impact of Gamma-ray Irradiation on Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3/GaN MOS Diodes with Post-metallization Annealing”,
13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), B08.04.
K. Tsurimoto, M. Horita, and J. Suda, “Impact of Gamma-Ray Irradiation on Device Characteristics of p-GaN/AlGaN/GaN Normally-Off High Electron Mobility Transisters”,
13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), B09.06.
S. Furuta, M. Horita, N. Tanaka, T. Oka, and J. Suda, “Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers”,
13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), EP01.06.
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Photon energy dependence of photoionization cross section ratio of electron to hole for the carbon-related hole trap in n-type GaN”,
30th International Conference on Defects in Semiconductors (Seattle, Washington, USA, 2019), Poster Session Ⅱ 2.
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Depth Profiles of Deep Levels Generated by ICP-RIE in 4H-SiC”,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (Kyoto, Japan, 2019), We-3B-05.
T. Maeda, X. Chi, H. Tanaka, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto, “Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diodes under high electric field along <11-20> direction”,
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (Kyoto, Japan, 2019), We-3B-07.
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “High Avalanche Capability in GaN p-n Junction Diodes Realized by Shallow BeveledMesa Structure Combined with Lightly Mg-Doped p-Layers”,
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (Nagoya, Japan, 2019), K-1-05.
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Quick measurement method of carbon-related defect concentration in n-type GaN by dual-color-sub-bandgaplight-excited isothermal capacitance transient spectroscopy”,
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (Nagoya, Japan, 2019), K-7-04.
J. Suda, “Development of vertical GaN power devices”,
C3NiT Centre Day 2019 (Linköping, Sweden, 2019), 9.15–9.45.
Invited Talk
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Impact Ionization Coefficients in GaN Measured by Above- and Sub-Eg Illuminations for p−/n+ Junction”,
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (San Francisco, California, USA, 2019), ‘4.2.
国内会議
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価
〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/18, 18p-N302-4.
ショットキー接合のC–V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討
〇(M1)六野 祥平1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/18, 18p-N302-7.
高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
〇櫻井 秀樹1,2,3、山田 真嗣1,2,3、高良 昭彦3、堀田 昌宏1,2、Bockowski Michal1,4、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大 IMaSS、2.名大院工、3.(株)アルバック半電研、4.UNIPRESS)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/18, 18p-N302-9.
p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性
〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/18, 18p-N302-10.
2色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn 型GaN 成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法
〇鐘ヶ江 一孝1,4、成田 哲生2、冨田 一義2、加地 徹3、堀田 昌宏1,3,4、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 IMaSS、4.名大院工)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/18, 18p-N302-15.
[論文奨励賞受賞記念講演] Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode
〇前田 拓也1、岡田 政也2、上野 昌紀2、山本 喜之2、木本 恒暢1、堀田 昌宏3、須田 淳3 (1.京大、2.住友電気工業、3.名大)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/20, 20a-E301-1.
様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果
〇村瀬 亮介1、前田 拓也2、鐘ヶ江 一孝1,2、須田 淳1,3、堀田 昌宏1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/20, 20a-E301-3.
n型GaNのICP-RIEにおけるバイアスパワー制御によるプラズマダメージの低減
〇山田 真嗣1,2,3、櫻井 秀樹1,2,3、長田 大和3、中村 敏幸3、上村 隆一郎3、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大未来研、2.名大院工、3.アルバック半電研)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/20, 20a-E301-6.
PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性
〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、金木 奨太3、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/20, 20a-E301-9.
<11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおける
Franz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
〇前田 拓也1、遅 熙倫1、田中 一1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/20, 20a-E301-11.
リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性
〇伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)
第80回応用物理学会秋期学術講演会, 札幌, 2019/9/20, 20a-E311-3.
T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Record breakdown fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN p-n junction diodes”,
第38回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, 2019/10/9, We1-4.
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, and J. Suda, “Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN”,
第38回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, 2019/10/10, Th3-4.
M. Endo, K. Kanegae, M. Horita, and J. Suda, “Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN”,
第38回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, 2019/10/10, Th3-5.
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Development of accurate and quick measurement method for hole trap density in n-type GaN layers by optical isothermal capacitance transient spectroscopy”,
第38回電子材料シンポジウム, 奈良県橿原市, 2019/10/10, Th3-6.
PMA処理を行ったAl2O3/n-GaN MOSダイオードにおいてガンマ線照射により形成されるAl2O3膜中及び界面トラップ
青島慶人、堀田 昌宏、金木奨太、須田 淳、橋詰保
先進パワー半導体分科会第6回講演会, 広島県広島市, 2019/12/3, IA-20.
[招待講演] 光過渡容量分光法によるn型GaN中の正孔トラップ密度の高速かつ精密定量手法
鐘ヶ江 一孝、成田 哲生、冨田 一義、加地 徹、堀田 昌宏、木本 恒暢、須田 淳
先進パワー半導体分科会第6回講演会, 広島県広島市, 2019/12/4, セッションⅦ-1.