International Journals
M. Matys, K. Kitagawa, T. Narita, T. Uesugi, J. Suda, and T. Kachi, “Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers with low on resistance, low turn-on voltage, and nearly ideal nondestructive breakdown voltage”, Appl. Phys. Lett. 121, 203507 (2022).
T. Kachi, T. Narita, H. Sakurai, M. Matys, K. Kataoka, K. Hirukawa, K. Sumida, M. Horita, N. Ikarashi, K. Sierakowski, M. Bockowski, and J. Suda, “Process engineering of GaN power devices via selective-area p-type doping with ion implantation and ultra-high-pressure annealing”,
J. Appl. Phys. 132, 130901 (2022).
K. Hara, E. Yamamoto, M. Kozawa, D. Uematsu, J. Ohara, Y. Mukaiyama, J. Kojima, S. Onda, and J. Suda, “Suppression of cluster formation in GaN growth by tri-halide vapor phase epitaxy with external GaCl3 gas supply system”,
Jpn. J. Appl. Phys. 61, 070909 (2022).
H. Iguchi, M. Horita, and J. Suda, “Increase in net donor concentration due to introduction of donor-like defects by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN”,
Appl. Phys. Express 15, 076504 (2022).
A. Uedono, H. Sakurai, J. Uzuhashi, T. Narita, K. Sierakowski, S. Ishibashi, SF. Chichibu, M. Bockowski, J. Suda, T. Ohkubo, N. Ikarashi, K. Hono, and T. Kachi, “Effect of Ultra-High-Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion-Implanted GaN Studied by Positron Annihilation”,
Phys. Status Solidi B 2022, 259, 22001.
K. Aoshima, N. Taoka, M. Horita, and J. Suda, “SiO2/GaN interfaces with low defect densities and high breakdown electric fields formed by plasma-enhanced atomic layer deposition”,
Jpn. J. Appl. Phys. 61, SC1073 (2022).
M. Endo, M. Horita, and J. Suda, “Hole traps related to nitrogen displacement in p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on freestanding GaN”,
Appl. Phys. Lett. 120, 142104 (2022).
T. Narita, M. Kanechika, J. Kojima, H. Watanabe, T. Kondo, T. Uesugi, S. Yamaguchi, Y. Kimoto, K. Tomita, Y. Nagasato, S. Ikeda, M. Kosaki, T. Oka, and J. Suda, “Identification of type of threading dislocation causing reverse leakage in GaN p-n junctions after continuous forward current stress”,
Scientific Reports 12, 1458 (2022).
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Breakdown Electric Field of GaN p+-n and p-n+ Junction Diodes With Various Doping Concentrations”,
IEEE Elec. Dev. Lett, VOL. 43, NO. 1, 2022.
J. Suda, “Current Status and Future Prospects of GaN-on-GaN Vertical Power Devices”,
IEDM 2022, pp. 35.7.1-35.7.4.
International Presentations
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda, “Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap formed by various types of radiation in gallium nitride”,
Radiation Effect on Components & Systems (Venice, Italy, 2022), Session C2.
T. Kachi, T. Narita, H. Sakurai, M. Matys, M. Bockowski, and Jun Suda, “Selective-area p-type doping by ion implantation with ultra-high-pressure annealing and its device applications”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), IT14.
T. Narita, Y. Nagasato, M. Kanechika, T. Kondo, T. Uesugi, K. Tomita, S. Ikeda, H. Watanabe, T. Shoji, T. Mori, S. Yamaguchi, Y. Kimoto, M. Kosaki, T. Oka, J. Kojima, and J. Suda, “Increase of reverse leakage current at GaN p-n junctions having different blocking voltages after forward current stress”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT029.
Maciej Matys, Tsutomu Uesugi, Kazuki Kitagawa, Jun Suda, and Tetsu Kachi, “Mg-implanted Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes with Low On-Resistance, High Breakdown Voltage, Low Turn-On Voltage and Avalanche Capability”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT047.
K. Sumida, K. Hirukawa, H. Sakurai, K. Sierakowski, M. Horita, M. Bockowski, T. Kachi, and J. Suda, “Investigation of Annealing Conditions of Mg-implanted GaN by Ultra- High-Pressure Annealing for Further Reduction of Annealing Pressure”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT048.
S. Yamada, T. Lee, M. Shirai, H. Kobayashi, R. Kamimura, M. Arai, T. Kachi, and J. Suda, “Realization of low specific contact resistance on N-polar GaN surface using highly-doped n-type GaN film deposited by low-temperature reactive sputtering”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT065.
Daiki Tanaka, Kenji Iso, Akinori Miura, Yuji Ando, and Jun Suda, “Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on semi-insulating GaN substrates doped with Fe, C, or Mn”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT137.
Meguru Endo, Masahiro Horita, and Jun Suda, “Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT173.
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda, “Correlation between non-ionizing energy loss and production rates of an electron trap at EC– (0.12-0.20) eV formed by various energetic particles in gallium nitride”, International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT174.
Mitsuki Inagaki, Tohru Oka, Nariaki Tanaka, Kazuya Hasegawa, Takatomi Izumi, and Jun Suda, “Threshold Voltage Instability under Positive Bias Stress in Vertical GaN Trench MOSFETs”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), AT263.
H. Iguchi, M. Horita, and J. Suda, “Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), PP033.
Kazukuni Hara, Eizou Yamamoto, Junji Ohara, Masato Ishikawa, Jun Kojima, Shoichi Onda, and Jun Suda, “Growth of GaN by tri-halide vapor phase epitaxy with GaCl3 gas synthesized by gallium metal and chlorine gas in external supply system”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), PP160.
H. Takahashi, Y. Ando, Y. Tsuchiya, A. Wakejima, and J. Suda, “Electrical Characteristics of Gated-Anode Diodes Based on Normally-Off Recessed-Gate GaN HEMT for Rectenna Application”,
International Workshop on Nitride Semiconductors (Berlin, Germany, 2022), PP246.
国内会議
SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性
〇伊藤 滉二1，田中 一1,2，堀田 昌宏1,3，須田 淳1,3，木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/21, 21a-M206-8.
Mgチャネリング注入によるGaN縦型パワーデバイス JTE構造の最適ドーズ幅拡大効果
〇北川 和輝1，Maciej Matys2，加地 徹2，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/22, 22p-B204-5.
超高圧アニールによるMgイオン注入p型GaNのルミネッセンス評価
〇嶋 紘平1，櫻井 秀樹2,3,4，石橋 章司5，上殿 明良6，Bockowski Michal2,7，須田 淳2,3，加地 徹2，秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大工、4.アルバック先進研、5.産総研CD-FMat、6.筑波大数物系、7.IHPP PAS)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/22, 22p-B204-7.
様々なドーピング密度を有するGaN p+-nおよびp-n+接合ダイオードの絶縁破壊電界
〇前田 拓也1，成田 哲生2，山田 真嗣3,4，加地 徹3，木本 恒暢1，堀田 昌宏1,3,5，須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.アルバック先進研、5.名大院工)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/22, 22p-B204-10.
i線ステッパーによる150 nm級Y型ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製
〇安藤 裕二1,2，高橋 英匡1，牧迫 隆太郎1，分島 彰男3，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/23, 23a-B204-2.
Fe，CまたはMnを添加した半絶縁性GaN基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTの室温における電気的特性評価
〇田中 大貴1，磯 憲司2,3，三浦 輝紀2,3，安藤 裕二1,3，須田 淳1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/23, 23a-B204-4.
N極性面上低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価
〇山田 真嗣1、白井 雅紀2、小林 宏樹2、上村 隆一郎2、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大、2.アルバック)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/23, 23p-B204-5.
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップのSi濃度依存性
〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/23, 23p-B204-5
高エネルギー粒子線照射により窒化ガリウム中に形成される電子トラップの生成レートとNIELの相関
〇青島 慶人1，堀田 昌宏1,2，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/23, 23p-B204-6.
超低濃度Siイオン注入GaNにおけるトラップ密度深さ方向分布のアニール温度依存性
〇井口 紘子1，堀田 昌宏1,2，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学川内北キャンパス/オンライン, 2022/9/23, 23p-B204-7.
GaNパワー半導体の課題と最新研究動向
須田 淳
ワイドギャップ半導体学会第8回研究会 特別公開シンポジウム, ウインクあいち, 2022/10/7, (6).
GaN中点欠陥が形成するトラップの評価
堀田 昌宏，須田 淳
ワイドギャップ半導体学会第8回研究会, 金沢商工会議所, 2022/12/16, (8).
GaNパワーデバイスの特性に影響するエピ・基板の欠陥評価
成田 哲生，長里 喜隆，兼近 将一，近藤 健，上杉 勉，冨田 一義，池田 智史，渡辺 弘紀，庄司 智幸，山口 聡，木本 康司，小嵜 正芳，岡 徹，小島 淳，堀田 昌宏，加地 徹，須田 淳
日本学術振興会 結晶加工と評価技術 第145委員会 第178回研究会, 明治大学, 2023/1/18, 5.
縦型GaNパワーデバイスの高性能化に向けたMOS界面、イオン注入技術の進展と課題
成田 哲生，伊藤 健治，菊田 大悟，冨田 一義，堀田 昌宏，Maciej Matys，五十嵐 信行，Michal Bockowski，上殿 明良，須田 淳，加地 徹
日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会研究会, 東京大学, 2023/3/10.
電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析
〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2022/3/17, 17p-A301-6.
137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定
〇小島 千寛1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2022/3/17, 17p-A301-7.
GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源
〇清水 威杜1、大橋 拓斗1、冨田 一義2、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2022/3/17, 17p-A301-8.
GaN基板の低コスト、低CO2排出に寄与するリサイクルプロセス技術の開発
〇大原 淳士1、長屋 正武1、原 一都1、星 真一1、金村 高司1、牛島 隆志1、石田 崇1、中林 正助1、加藤 孝三1、小山 貴之1、長里 喜隆1、鶴田 和弘1、小島 淳1,2、恩田 正一1,2、上杉 勉2、田中 敦之2、笹岡 千秋2、須田 淳2、原 佳祐3、河口 大祐3、久野 耕司3、筬島 哲也3 (1.ミライズ、2.名古屋大、3.浜ホト)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2022/3/17, 17p-A301-11.
GaNリサイクル基板上に作製した縦型PNDと横型MOSFETの電気特性評価
〇石田 崇1、牛島 隆志1、中林 正助1、加藤 孝三1、小山 貴之1、長里 喜隆1、大原 淳士1、星 真一1、長屋 正武1、原 一都1、金村 高司1、鶴田 和弘1、小島 淳1,2、上杉 勉2、田中 敦之2、笹岡 千秋2、恩田 正一1,2、須田 淳2、原 佳祐3、河口 大祐3、久野 耕司3、筬島 哲也3 (1.ミライズテクノロジーズ、2.名古屋大学、3.浜松ホトニクス)
エッチング停止位置検出層の導入によるゲートリセス構造AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧制御性の向上
〇大石 健介1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2023/3/18, 18a-A301-6.
縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動
〇稲垣 光希1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、伊奈 務3、西尾 剛3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2023/3/18, 18a-A301-6.
マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用
〇渡邉 智也1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2023/3/18, 18a-A301-11.
バルクGaNの低温最高移動度の更新：14300cm2/Vs
〇金木 奨太1、今野 泰一郎1、木村 健司1、鐘ヶ江 一孝2,3、須田 淳3,4、藤倉 序章1 (1.住友化学、2.京大院工、3.名大院工、4.名大未来研)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2023/3/18, 18a-B401-7.