東京工業大学大岡山キャンパスにて2019/3/9～3/12の日程で開催される第66回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
- [11a-M121-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動
〇遠藤 彗1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研) - [11a-M121-5] ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位
〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、上杉 勉3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) - [11p-PB3-8] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程
〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) - [9a-M121-7] ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化
〇(M1)青島 慶人1、金木 奨太2、堀田 昌宏1,3、須田 淳1,3、橋詰 保2 (1.名大院工、2.北大量エレ研、3.名大未来研)
- [9a-M121-9] ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキー障壁高さの温度係数の電極金属依存性
〇村瀬 亮介1、前田 拓也2、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏1,2,3、須田 淳1,2,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)
- [9p-M121-6] GaN -MOSFETの Hall測定
〇上野 勝典1、松山 秀昭1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、堀田 昌宏2、須田 淳2、中川 清和3 (1.富士電機（株）、2.名大院工、3.山梨大) - [9a-M121-11] 横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討
〇(B)六野 祥平1、坂尾 佳祐2、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研) - [11a-M121-9] SiNキャップ層高温熱処理によりGaN中に導入される深い準位
〇古田 悟夢1、堀田 昌宏2,3、田中 成明4、岡 徹4、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.豊田合成) - [11a-70A-7] SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性
〇伊藤 滉二1、小林 拓真1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工) - [9a-M121-10] Quartz-free-HVPE成長n型GaN層における補償アクセプタの起源解明
〇鐘ヶ江 一孝1、藤倉 序章2、乙木 洋平2、今野 泰一郎2、吉田 丈洋2、堀田 昌宏1,3,4、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.SCIOCS、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工) - [11p-PB3-18] ベベルメサ構造GaN p-n接合ダイオードの電界分布シミュレーション
〇前田 拓也1、成田 哲生2、上田 博之2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,4、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工) - [9p-M121-1] 両側空乏ベベルメサ構造を有するGaN p-n接合ダイオードにおける
均一なアバランシェ破壊の実現および平行平板破壊電界の評価
〇前田 拓也1、成田 哲生2、上田 博之2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,4、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工) - [9p-M121-2] Franz-Keldysh効果を利用した光電流増倍測定による
GaNにおけるキャリアの衝突イオン化係数の推定
〇前田 拓也1、成田 哲生2、上田 博之2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,4、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工) - [11p-PB3-6] スロープダウンバイアスICP-RIEによるn型GaNのエッチングダメージの制御
〇山田 真嗣1,2,3、櫻井 秀樹1,2,3、大森 雅登1、中村 敏幸3、上村 隆一郎3、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大未来研、2.名大院工、3.アルバック半電研)