北海道大学にて2019/9/18~9/21の日程で開催される第80回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [18p-N302-7] ショットキー接合のCV測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討
    〇(M1)六野 祥平1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値
    堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研)

  3. [18p-N302-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性
    〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

  4. [18p-N302-4] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価
    〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

  5. [20a-E301-1] [論文奨励賞受賞記念講演] Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode
    〇前田 拓也1、岡田 政也2、上野 昌紀2、山本 喜之2、木本 恒暢1、堀田 昌宏3、須田 淳3 (1.京大、2.住友電気工業、3.名大)

  6. [20p-E311-11] <11-20>方向に電界印加した4H-SiC p-n接合ダイオードにおける
    Franz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
    〇前田 拓也1、遅 熙倫1、田中 一1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)

  7. [20a-E301-3] 様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果
    〇村瀬 亮介1、前田 拓也2、鐘ヶ江 一孝1,2、須田 淳1,3、堀田 昌宏1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)

  8. [20a-E301-9] PMA処理を行ったAl2O3/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性
    〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、金木 奨太3、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)

  9. [20p-E301-6] n型GaNのICP-RIEにおけるバイアスパワー制御によるプラズマダメージの低減
    〇山田 真嗣1,2,3、櫻井 秀樹1,2,3、長田 大和3、中村 敏幸3、上村 隆一郎3、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大未来研、2.名大院工、3.アルバック半電研)

  10. [18p-N302-9] 高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
    〇櫻井 秀樹1,2,3、山田 真嗣1,2,3、高良 昭彦3、堀田 昌宏1,2、Bockowski Michal1,4、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大 IMaSS、2.名大院工、3.(株)アルバック半電研、4.UNIPRESS)

  11. [18p-N302-15] 2 色のサブバンドギャップ光を用いた過渡容量分光法によるn 型GaN 成長層中の炭素関連欠陥密度の高速定量手法
    〇鐘ヶ江 一孝1,4、成田 哲生2、冨田 一義2、加地 徹3、堀田 昌宏1,3,4、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 IMaSS、4.名大院工)

  12. [20a-E311-3] リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性
    〇伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)

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