オンラインにて2020/3/12～3/15の日程で開催される第67物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. 〇安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

  2. [13a-B401-2] DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価
    〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)
  3. [14a-B401-1] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性
    〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  4. [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価
    〇伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)
  5. [12p-B401-10] GaNの電子・正孔の衝突イオン化係数の測定
    〇前田 拓也1、成田 哲生2、山田 真嗣3,4,5、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,5、須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.アルバック半電研、5.名大院工)
  6. [12p-B401-11] GaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性
    〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  7. [14p-B401-3] スパッタ法により成膜したn+GaNのトレンチMOSFETソース領域への適用検討
    〇石田 崇1,2,3、篠崎 哲也4、白井 雅紀4、高澤 悟4、須田 淳1,3、加地 徹1 (1.名大未来研、2.トヨタ自動車、3.名大院工、4.アルバック)
  8. [12p-B401-4] RIEによって生成されたn型GaN中の深い準位
    〇鐘ヶ江 一孝1、山田 真嗣2,3,4、堀田 昌宏1,3,4、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.アルバック半電研、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)
  9. [14a-B401-4] SiNキャップ層高温熱処理によりGaN表面付近に導入される電子トラップの深さ方向分布の熱処理時間依存性
    〇古田 悟夢1、堀田 昌宏1,2、田中 成明3、岡 徹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)
  10. [14a-B401-6] 常圧で活性化熱処理したMg注入GaN層のホール効果測定
    〇田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、江戸 雅晴1、堀田 昌宏2、須田 淳2 (1.富士電機、2.名大)
  11. [14p-B401-2] 様々な条件で作製したGaN縦型トレンチMOSFETの反転チャネル移動度
    〇(M1)NAM KyungPil1、石田 崇1,2,3、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院、2.名大未来研、3.トヨタ自動車)
  12. [13a-B401-8] Mgイオン注入p型GaNの超高圧アニール温度の検討
    〇(B)晝川 十史1、櫻井 秀樹1,2,3、藤倉 序章4、堀田 昌宏1,2、Bockowski Michal2,5、乙木 洋平4、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大工、2.IMaSS、3.(株)アルバック半電研、4.(株)サイオクス、5.UNIPRESS)
  13. [13a-B401-9] 超高圧アニールによるMg&Nシーケンシャルイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証
    〇櫻井 秀樹1,2,3、成田 哲生4、晝川 十史2、山田 真嗣1,2,3、高良 昭彦3、片岡 恵太4、堀田 昌宏1,2、Bockowski Michal1,5、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大IMaSS、2.名大工、3.アルバック半電研、4.豊田中研、5.UNIPRESS)

  14. [13a-B401-10] Mgイオン注入GaN結晶の高温・超高圧アニールにより形成される結晶欠陥の透過型電子顕微鏡観察

    〇(B)中島 拓也1、櫻井 秀樹1,2,3、荒井 重勇2、岩田 研治1、成田 哲生4、片岡 恵太4、Bockowski Michal2,5、長尾 全寛2、須田 淳1、加地 徹2、五十嵐 信行2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.アルバック半電研、4.豊田中研、5.Unipress)

     

  15. [13p-A302-8] GaN:C 半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの作製

    〇山田 剛大1、安藤 悠人1、渡邉 浩崇2、古澤 優太2、出来 真斗2、田中 敦之2,3、新田 州吾2、本田 善央2、須田 淳1,2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)
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