応用物理学会先進パワー半導体分科会・第7回講演会のチュートリアル(2020/12/8, オンライン開催)において、須田教授が半導体の絶縁破壊現象の基礎について講演(55分間)を行いました。
2020年チュートリアルプログラム
- 開会の挨拶 須田 淳 分科会幹事長
- 半導体の絶縁破壊現象の基礎
Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors 須田 淳 名古屋大学 - 信頼度解析の基礎
Basics of Reliability Theory 大村 一郎 九州工業大学 - Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム
Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of Si IGBTs and SiC MOSFETs 岩室 憲幸 筑波大学 - ワイドバンドギャップ半導体MOSデバイスにおけるゲート酸化膜破壊
Gate oxide breakdown in wide bandgap semiconductor MOS devices 細井 卓治 大阪大学 - 高信頼高密度ハーフブリッジSiCパワーモジュール
Highly reliable and dense half-bridge SiC power module 谷本 智 大阪大学・”福島SiC応用技研株式会社(FSiC) - 半導体デバイスの放射線劣化・破壊-地上から宇宙まで-
Radiation degradation & destruction of semiconductor devices - From terrestrial to space applications - 大島 武 量子科学技術研究開発機構 - 閉会の辞 鎌田 功穂 電力中央研究所