ハイブリッド（熊本城ホールほか3会場＋オンライン）で2023/9/19～9/23に開催される第84回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
カテゴリー: 学会発表
-
-
2023年春応用物理学会
ハイブリッド（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）で2023/3/15～3/18に開催される第70回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
-
2022年秋応用物理学会
ハイブリッド（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）で2022/9/20～9/23に開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
-
2022年春応用物理学会
ハイブリッド（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）で2022/3/22～3/26に開催される第69回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
-
SSDM 2021
固体材料素子コンファレンス(SSDM 2021, 2021/9/6-9)において当研究室から以下の発表が行われました。
-
2021年秋応用物理学会
オンラインにて2021/9/10～9/13に開催される第82回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
-
2021年春応用物理学会
オンラインにて2021/3/16～3/19に開催される第68回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
-
SSDM 2020
固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。 [D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment 〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))
-
ISPSD 2020
パワー半導体デバイスおよび集積回路に関する国際シンポジウム(ISPSD 2020, 2020/9/13-18, オンライン開催)のポスターセッションにおいて当研究室の櫻井氏が発表を行いまいた。 Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kazufumi Hirukawa, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, Jun …
-
2020年秋応用物理学会
オンラインにて2020/9/8～9/11程で開催される第81回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) [10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大) [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチング …