熊本城ホールで2025/6/1~6/5に開催されたISPSD（The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)において、当研究室から以下の発表が行われました。
Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes
Kazuki Kitagawa1, Tsutomu Uesugi2, Masahiro Horita1, Tetsu Kachi2, Jun Suda1;
1 Nagoya Univ., Nagoya, Aichi, Japan. 2 Nagoya Univ. IMaSS, Nagoya, Aichi, Japan.