研究室見学相談会(配属希望者向け)

C-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 第1回: 2026/1/16(金) 12:55集合、説明会13:00～14:30 (満員)第2回: 2026/1/20(火) 10:25集合、説明会10:30～12:00　第3回: 2026/1/20(火) 14:55集合、説明会15:00～16:30 参加希望者は suda@nagoya-u.jp に連絡してください。複数可能な場合は第1,第2希望を書いてください。各6名を予定しています。先着順とします。上記3回で都合がつかない人は個別に対応します。 配属希望を出すことを考えている人は必ず参加するようにしてください。 見学相談会の参加前にホームページの配属者向けのメッセージを読んでおいてください。また、応用物理学会ホームページの以下のWeb記事も読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術 https://www. …

配属希望者へ

当研究室の配属を考えている電気電子情報工学科の学生のみなさんへ 当研究室は半導体電子デバイスの研究室です。半導体や電子デバイスについての基礎知識がたいへん重要です。「固体電子工学及び演習」では半導体の初歩しか学ぶことができません。3年生秋学期配当の以下の科目を履修しておくことをおすすめします。 研究室配属は例年通り課題レポート＋面接で行う予定です。

3年生向け研究室見学会

電気電子情報工学科3年生で当研究室での研究室インターンシップを検討している学生のみなさんへ 研究室見学会を以下の通り実施します。定員各6名 C-TEFs棟 1F ロビーに集合してください。C-TEFsは地下鉄名古屋大学駅から徒歩で10~15分程度かかります。場所はこちらの地図を参照してください。C-TECsではなくて、手前のC-TEFsです。 見学会参加希望の人はsuda@nagoya-u.jpまで知らせてください。

ICNS-15

スウェーデンマルメにて7/6-11で開催されたICNS-15(15th International Conference on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 ED-Thu-B6(Invited) GaN-on-GaN Devices for Next Generation Electronics Jun SudaNagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. ED-Tue-P14Effects of the high pressure annealing on threshold voltages in GaN-MOSFETsTetsu Kachi1, Takumi Hirata1, Kenji Ito2, Tetsuo Narita3, Jun Suda11Nagoya Universit …

ISPSD

熊本城ホールで2025/6/1~6/5に開催されたISPSD（The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)において、当研究室から以下の発表が行われました。 Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky DiodesKazuki Kitagawa1, Tsutomu Uesugi2, Masahiro Horita1, Tetsu Kachi2, Jun Suda1;1 Nagoya Univ., Nagoya, Aichi, Japan. 2 Nagoya Univ. IMaSS, N …