研究室配属課題

須田研究室に配属希望を出す皆さんは以下の課題を提出していただきます。 課題１　半導体結晶の見た目 半導体ウエハ(円盤状に加工された半導体の単結晶)の見た目は材料によりまちまちである。Siは銀色の鏡のようであり、GaPは半透明のオレンジ色、GaNは無色透明である。 このようになる理由を説明せよ。説明の相手は、電情新B3(=固体電子工学を受講する前のみなさん)を想定せよ。 ヒント：それぞれの材料のバンドギャップはネットで調べればわかります。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにほぼ答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題２　MOSFETの構造と動作原理 MOSFETは、ゲート端子の電位(正確にはゲート-ソース間電圧Vgs)により、ソース端子とドレイン端子の電気伝導を制御できる、あ …

研究室見学相談会(配属希望者向け)

C-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 第1回: 2025/1/10(金) 17:15集合、説明会17:20～18:20 (17:00に一度迎えに行きます)第2回: 2025/1/15(水) 17:15集合、説明会17:20～18:20 (17:00に一度迎えに行きます) 参加希望者は suda@nagoya-u.jp に連絡してください。各5~10名程度を予定しています。先着順とします。都合がつかない人は個別に対応します。配属を考えている人は参加するようにしてください。 見学相談会の参加前に以下のWeb記事を読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術 https://www.jsap.or.jp/columns/gx/e2-4窒化ガリウム横型パワーデバイス https://www.jsap.or.jp/columns/gx/e2-6-2 須田

IWN 2024

米国ハワイ州にて2024/11/3-8に開催されたIWN 2024 (International Workshop on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 653(INVITED) Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaNJun Suda, Masahiro Horita;Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. 270Effects of Subsequent Annealing on Etching Resistance and Electrical Properties of n-type GaN Films Deposited by Reactive Sputteri …

配属希望者へ

当研究室の配属を希望する学生のみなさんへ 当研究室は半導体電子デバイスの研究室です。半導体や電子デバイスについての基礎知識が重要となります。「固体電子工学及び演習」では半導体の初歩の初歩しか学ぶことができません。3年生秋学期配当の以下の科目を履修しておくことを推奨します。 研究室配属は例年通り課題問題＋面接で行います。

研究室インターンシップ見学会

電気電子情報工学科3年生で当研究室での研究室インターンシップを検討している学生のみなさんへ 研究室見学会を以下の通り実施します。 C-TECs棟 6F エレベーターホールに集合してください。C-TECsは地下鉄名古屋大学駅から徒歩15分程度かかります。場所はこちらの地図を参照してください。参加希望の人はsuda@nagoya-u.jpまで知らせてください。

本研究室の角田くんと北川くんが第71回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞

角田健輔くん（D2）と北川和輝くん（D1）が第71回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。発表タイトルは、「Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果」（角田くん）および「Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード」（北川くん）です。