須田研究室に配属希望を出す皆さんは以下の課題に取り組んでください。1/29正午を〆切とします。メールで須田宛(suda@nagoya-u.jp)に提出してください。はやめに提出してくれれば、コメントを返せるかも知れません。(〆切前なら再提出可能です。) 課題1 半導体結晶の見た目 半導体ウエハ(円盤状に加工された半導体の単結晶)の外見は材料によりまちまちである。Siはやや黒みがかった銀色の鏡のようであり、GaPは半透明のオレンジ色、GaNは無色透明である。 ヒント:それぞれの材料のバンドギャップの大きさはネットで調べればわかります。須田の固体電子工学の講義動画(ここに半分の答えがあります)とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。光工学も関係があったりします。 課題2 MOSFETの構造と動作原理 …
研究室配属課題(予告)
研究室配属希望者には課題に取り組んでいただきます。1/21正午までには出題します。もうしばらくお待ちください。(出題しました。) 定員を超えた配属希望があったときには、提出していただいた課題レポートを元に入念な面接を行い、 をみたいと思っています。志望してくれる皆さんは半導体に関心があって、須田研で研究をしたいという熱意は全員あるので本当に心苦しいのですが、定員の制約がありますのでご理解ください。(毎年本当に僅差で選ばねばならず心苦しく思っています。) なお、3年秋学期の「電子デバイス工学」や「半導体工学」の授業の一部は研究の役に立つので履修が望ましいですが、須田研配属後に頑張って半導体デバイスの勉強をしてくれるなら未履修でも全く問題はありません。(課題2を解くために早速勉強が必要ですし。)
研究室見学相談会(配属希望者向け)
C-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 第1回: 2026/1/16(金) 12:55集合、説明会13:00~14:30 (満員)第2回: 2026/1/20(火) 10:25集合、説明会10:30~12:00 第3回: 2026/1/20(火) 14:55集合、説明会15:00~16:30 参加希望者は suda@nagoya-u.jp に連絡してください。複数可能な場合は第1,第2希望を書いてください。各6名を予定しています。先着順とします。上記3回で都合がつかない人は個別に対応します。 配属希望を出すことを考えている人は必ず参加するようにしてください。 見学相談会の参加前にホームページの配属者向けのメッセージを読んでおいてください。また、応用物理学会ホームページの以下のWeb記事も読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術 https://www. …
在学生の声 2026を掲載しました
研究室の雰囲気が分かってもらえるように在学生(と秘書さん)に一言メッセージを寄せてもらいました.在学生の声 2026
未来の配属希望者へ (秋学期の履修について)
当研究室の配属をちょっぴり考えている電気電子情報工学科の学生のみなさんへ 当研究室は半導体電子デバイスの研究室です。半導体や電子デバイスについての基礎知識がたいへん重要です。「固体電子工学及び演習」では半導体の初歩しか学ぶことができません。3年生秋学期配当の以下の科目を履修しておくことをおすすめします。
3年生向け研究室見学会
電気電子情報工学科3年生で当研究室での研究室インターンシップを検討している学生のみなさんへ 研究室見学会を以下の通り実施します。定員各6名 C-TEFs棟 1F ロビーに集合してください。C-TEFsは地下鉄名古屋大学駅から徒歩で10~15分程度かかります。場所はこちらの地図を参照してください。C-TECsではなくて、手前のC-TEFsです。 見学会参加希望の人はsuda@nagoya-u.jpまで知らせてください。
研究室旅行に行ってきました
昨年に引き続き第二回研究室旅行を開催しました。 一泊二日で飛騨高山・下呂を巡り、研究室メンバーで楽しい時間を過ごしました。
ICNS-15
スウェーデンマルメにて7/6-11で開催されたICNS-15(15th International Conference on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 ED-Thu-B6(Invited) GaN-on-GaN Devices for Next Generation Electronics Jun SudaNagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. ED-Tue-P14Effects of the high pressure annealing on threshold voltages in GaN-MOSFETsTetsu Kachi1, Takumi Hirata1, Kenji Ito2, Tetsuo Narita3, Jun Suda11Nagoya Universit …
ISPSD
熊本城ホールで2025/6/1~6/5に開催されたISPSD(The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)において、当研究室から以下の発表が行われました。 Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky DiodesKazuki Kitagawa1, Tsutomu Uesugi2, Masahiro Horita1, Tetsu Kachi2, Jun Suda1;1 Nagoya Univ., Nagoya, Aichi, Japan. 2 Nagoya Univ. IMaSS, N …
2024年度須田研追いコンを開催しました
2024年度須田研追いコンを開催しました。卒業生の新天地でのご活躍を祈念いたします。