2023

Award

第54回（2023年春季）応用物理学会講演奨励賞
電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析
〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学四谷キャンパス/オンライン, 2022/3/17, 17p-A301-6.

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞
ホモエピタキシャル成長GaN中の窒素原子変位に関連した再結合中心の評価
遠藤彗¹、堀田昌宏^{1, 2}、須田淳^{1, 2}
1名古屋大学大学院工学研究科、2名古屋大学未来研

ICNS-14 Best Student Award
D. Tanaka, K. Iso and J. Suda, “Guidelines for selecting appropriate dopants and concentrations for semi-insulating GaN substrates”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), CH17-4.

IEEE Nagoya Section Excellent Student Award (Mar. 2024)
北川 和輝

2023年度 修士論文中間発表会 優秀賞
林 慶祐
平田 拓⺒

令和5年度 名古屋大学 工学部長表彰
清 史幸

電気学会東海支部支部長賞2023年
清 史幸

International Journals

M. Matys, K. Kitagawa, T. Narita, T. Uesugi, M. Bockowski, J. Suda and T. Kachi, “Design and fabrication of vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers using Mg ion implantation”,
Jpn. J. Appl. Phys. 62, SN0801 (2023).

Y. Ando, H. Takahashi, R. Makisako, A. Wakejima and J. Suda, “RF characteristics of 150-nm AlGaN/GaN high electron mobility transistors fabricated using i-line stepper lithography”,
Electron. Lett., 59 (2023).

T. Narita, M. Kanechika, K. Tomita, Y. Nagasato, T. Kondo, T. Uesugi, S. Ikeda, M. Kosaki, T. Oka and J. Suda, “Effects of proton irradiation-induced point defects on Shockley-Read-Hall recombination lifetimes in homoepitaxial GaN p-n junctions”,
Appl. Phys. Lett. 122, 113505 (2023).

D. Tanaka, K. Iso and J. Suda, “Comparative study of electrical properties of semi-insulating GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy and doped with Fe, C, or Mn”,
J. Appl. Phys. 133, 055701 (2023).

K. Hara, E. Yamamoto, J. Ohara, S. Onda and J. Suda, “Effect of H₂ addition on growth rate and surface morphology of GaN (0001) grown by halide-vapor-phase epitaxy using GaCl₃,
Jpn. J. Appl. Phys. 62, 020903 (2023).

K. Aoshima, M. Horita and J. Suda, “Correlation between non-ionizing energy loss and production rate of electron trap at EC – (0.12-0.20) eV formed in gallium nitride by various types of radiation”,
Appl. Phys. Lett. 122, 012106 (2023).

T. Ishida, T. Kachi and J. Suda, “Comparison of switching performance of high-speed GaN vertical MOSFETs with various gate structures based on TCAD simulation”,
Jpn. J. Appl. Phys. 62, 014001 (2023).

H. Takahashi, Y. Ando, Y. Tsuchiya, A. Wakejima and J. Suda, “Electrical Characteristics of Gated Anode Diodes Based on Normally Off Recessed-Gate GaN High-Electron-Mobility Transistors for Rectenna Applications”,
Phys. Status. Solidi A. 220, 2299837 (2023).

M. Endo, M. Horita, J. Suda, “Nitrogen-displacement-related recombination centers generated by electron beam irradiation in n-type and p-type homoepitaxial GaN layers”,
Applied Physics Express, vol. 17, p. 01100 (2023).

Y. Ichikawa, K. Ueno, T. Kondo, R. Tanaka, S. Takashima, J. Suda, “Suppression of threshold voltage shift due to positive bias stress in GaN planar MOSFETs by post-deposition annealing”,
Japanese Journal of Applied Physics, vol. 63, p. 02SP31 (2024).

T. Ishida, T. Ushijima, S. Nakabayashi, K. Kato, T. Koyama, Y. Nagasato, J. Ohara, S. Hoshi, M. Nagaya, K. Hara, T. Kanemura, M. Taki, T. Yui, K. Hara, D. Kawaguchi, K. Kuno, T. Osajima, J. Kojima, T. Uesugi, A. Tanaka, C. Sasaoka, S. Onda, J. Suda, “Demonstration of recycling process for GaN substrates using laser slicing technique towards cost reduction of GaN vertical power MOSFETs”,
Applied Physics Express, vol. 17, p. 026501 (2024).

S. Yamada, M. Shirai, H. Kobayashi, M. Arai, T. Kachi, J. Suda, “Realization of low specific-contact-resistance on N-polar GaN surfaces using heavily-Ge-doped n-type GaN films deposited by low-temperature reactive sputtering technique”,
Applied Physics Express, vol. 17, p. 036501 (2024).

D. Tanaka, K. Iso, R. Makisako, Y. Ando, J. Suda, “Electrical Characterization of AlGaN/GaN-HEMTs on Semi-Insulating GaN Substrates Doped With Fe, C, or Mn and Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy, IEEE Transactions on Electron Devices”, 10.1109/TED.2024.3375837 (2024).

International Presentations

T. Kachi, M. Matys, K. Kitagawa, T. Uesugi, T. Narita and J. Suda, “Vertical GaN Power Devices Using Selective Area Doping with Ion Implantation”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED2-1.

K. Sumida, M. Horita, T. Kachi and J. Suda, “Depth Analysis of Acceptor and Compensating Donor Concentrations in Mg-implanted p-GaN with Ultra-High-Pressure Annealing”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED6-6.

T. Hirata, M. Kanechika, T. Tokozumi, T. Kanechika and J. Suda, “Improvement of AlSiO/n-GaN MOS characteristics by ultra-high-pressure deposition annealing”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED5-5.

M. Horita and J. Suda, “Characterization of nitrogen-displacement-related traps in GaN”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), CH7-1.

Y. Ando, K. Oishi, H. Takahashi, R. Makisako, A. Wakejima and J. Suda, “Improved Turn-On Voltage Controllability in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes Using Etch Endpoint Detection Process”
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED9-1.

T. Watanabe, H. Takahashi, A. Wakejima, Y. Ando and J. Suda, “Improvement of Breakdown Voltage by Utilizing Moderately-Doped Contact Layers in AlGaN/GaN Gated-Anode Diodes for Microwave Rectification”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED9-2.

S. Yamada, K. Tanaka, M. Arai, T. Kachi and J. Suda, “Impacts of subsequent nitrogen radical treatment on surface roughness and electrical properties on n-type GaN films deposited by reactive sputtering”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED12-3.

Y. Ichikawa, K. Ueno, T. Kondo, R. Tanaka, S. Takashima and J. Suda, “Impact of post-deposition anneal on threshold voltage instability due to bias stress in GaN planer MOSFETs with SiO₂ gate dielectric”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ED14-7.

M. Endo, M. Horita and J. Suda, “Evaluation of recombination centers originating from nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type and p-type GaN”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), CH15-5.

C. Kojima, M. Horita and J. Suda, “Hall-effect Measurement of Homoepitaxial N-type GaN with Nitrogen-displacement-related Point Defects Formed by Electron Beam Irradiation”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), CH15-6,

D. Tanaka, K. Iso and J. Suda, “Guidelines for selecting appropriate dopants and concentrations for semi-insulating GaN substrates”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), CH17-4.

K. Kitagawa, M. Matys, T. Kachi and J. Suda, “Expansion of Optimized Dose Range in Junction Termination Extension Structure for GaN Vertical Power Devices by Utilizing Mg Channeling Implantation”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), TuP-ED22.

H. Iguchi, M. Horita and J. Suda, “Annealing behavior of deep levels induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ThP-CH-28.

M. Inagaki, T. Oka, N. Tanaka, K. Hasegawa, T. Izumi, T. Ina, G. Nishio, T. Niwa and J. Suda, “Mg Concentration Dependence of Threshold Voltage Shift under Sub-Eg Light Illumination and Positive Vias Stress in Vertical GaN Trench MOSFETS”,
14^th International Conference on Nitride Semiconductors (Fukuoka, Japan, 2023), ThP-ED-31.

国内会議

[講演奨励賞受賞記念講演] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN中の再結合中心の評価
〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2(1.名大院工、2.名大未来研)
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本, 2023/09/22, 22a-B201-1.

超低濃度Siイオン注入を行ったn型GaNエピタキシャル層上に作製したショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性
〇井口 紘子¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本, 2023/09/21, 21p-B201-12.

Mg/N 共注入および超高圧アニールを用いて作製した GaN p-n 接合ダイオード
〇北川 和輝¹、加地 徹²、須田 淳^1,2(1.名大院工、2.名大未来研)
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本, 2023/09/21, 21p-B201-14.

HVPE法で作製したFe，C，Mnドープ半絶縁性GaN基板の電気的特性評価
〇田中 大貴¹、磯 憲司^2,3、須田 淳^1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本, 2023/09/22, 22a-B201-5.

AlSiO/n-GaN MOS構造の容量-電圧特性における超高圧アニール時間依存性
〇平田 拓巳¹、兼近 将一²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本, 2023/09/22, 22p-B201-6

スパッタ成膜n型GaN層の表面形態に対する窒素ラジカル照射効果
〇山田 真嗣¹、田中 希帆¹、新井 学¹、加地 徹¹、須田 淳¹ (1.名大)
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本, 2023/09/22, 22p-B201-14.

ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりEC − 1 e V 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/24, 24a-52A-3.

ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定
〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳¹ (1.名大院工、2.名大未来研)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/24, 24a-52A-4.

酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
〇林 慶祐¹、堀田 昌宏^1,2、田中 亮³、高島 信也³、上野 勝典³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/24, 24a-52A-7.

i線ステッパーによる100 nm級AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製
〇安藤 裕二^1,2、牧迫 隆太郎¹、高橋 英匡¹、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/24, 24p-52A-15.

高濃度n型GaNスパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
〇田中 希帆¹、山田 真嗣¹、新井 学²、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/24, 24p-52A-18.

n型GaNスパッタ膜の電気的特性に対するアニール効果
〇山田 真嗣¹、新井 学¹、加地 徹¹、須田 淳¹ (1.名大)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/24, 24p-52A-19.

Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
〇角田 健輔¹、片岡 恵太³、成田 哲生³、堀田 昌宏^1,2、加地 徹^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/25, 25p-52A-1.

Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード
〇北川 和輝¹、Maciej Matys²、上杉 勉²、加地 徹²、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス, 2024/03/25, 25p-52A-3.