International Journals
M. Kaneko, K. Hirai, T. Kimoto, and J. Suda, “Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE”,
Appl. Phys. Express, 13, 025503 (2020).
M. Akazawa, R. Kamoshida, S. Murai, T. Narita, M. Omori, J. Suda, and T. Kachi, “Effects of Dosage Increase on Electrical Properties of Metal‐Oxide‐Semiconductor Diodes with Mg‐Ion‐Implanted GaN Before Activation Annealing”,
phys. stat. sol. (b), 257, 1900367 (2020).
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy for quick measurement of carbon-related hole trap density in n-type GaN”,
Jpn. J. Appl. Phys., 59, SGGD05 (2020).
S. Asada, J. Suda, and T. Kimoto, “Temperature Dependence of Conductivity Modulation in SiC Bipolar Junction Transistors”,
IEEE Trans. Elec. Dev., 67, 1699 (2020).
K. Iwata, H. Sakurai, S. Arai, T. Nakashima, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, M. Nagao, J. Suda, T. Kachi, and N. Ikarashi, “Defect evolution in Mg ions implanted GaN upon high temperature and ultrahigh N2 partial pressure annealing: Transmission electron microscopy analysis”,
J. Appl. Phys., 127, 105106 (2020).
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, and J. Suda, “Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN and their annealing behavior”,
AIP Advances, 10, 045023 (2020).
M. Horita, T. Narita, T. Kachi, and J. Suda, “Identification of origin of EC–0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in ntype GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”,
Appl. Phys. Express, 13, 071007 (2020).
H. Sakurai, T. Narita, M. Omori, S. Yamada, A. Koura, M. Iwinska, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, and T. Kachi, “Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing”,
Appl. Phys. Express, 13, 086501 (2020).
T. Narita, H. Yoshida, K. Tomita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Horita, M. Bockowski, N. Ikarashi, J. Suda, T. Kachi, and Y. Tokuda, “Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices”,
J. Appl. Phys., 128, 090901 (2020).
H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, and T. Kachi, “Impacts of high temperature annealing above 1400° C under N2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN”,
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 321 (2020).
S. Yamada, K. Takeda, M. Toguchi, H. Sakurai, T. Nakamura, J. Suda, T. Kachi, and T. Sato, “Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques”,
Appl. Phys. Express, 13, 106505 (2020).
T. Narita, M. Horita, K. Tomita, T. Kachi, and J. Suda, “Why do electron traps at EC–0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers?”,
Jpn. J. Appl. Phys., 59, 105505 (2020).
A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S. Ishibashi, S. F Chichibu, and T. Kachi, “Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam”,
Scientific reports, 10, 1-7 (2020).
Y. Ando, H. Takahashi, Q. Ma, A. Wakejima, and J. Suda, “Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs”,
IEEE Trans. Elec. Dev., 67, 5421 (2020).
T. Ishida, K. P. Nam, M. Matys, T. Uesugi, J. Suda, and T. Kachi, “Improvement of channel property of GaN vertical trench MOSFET by compensating nitrogen vacancies with nitrogen plasma treatment”,
Appl. Phys. Express, 13, 124003 (2020).
T. Nakashima, E. Kano, K. Kataoka, S. Arai, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, M. Nagao, J. Suda, T. Kachi, and N. Ikarashi, “Enhanced activation of Mg ion-implanted GaN at decreasing annealing temperature by prolonging duration”,
Appl. Phys. Express, 14, 011005 (2020).
International Presentations
H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda and T. Kachi, “Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN”,
32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (Online, 2020), D2P-C-10.
T. Ishida, K. P. Nam, M. Matys, T. Uesugi, J. Suda and T. Kachi, “Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment”,
International Conference on Solid State Devices and Materials (Online, 2020), D-2-02.
S. Rokuno and J. Suda, “Numerical analysis of dynamic punch-through phenomenon in vertical GaN MOSFET structure with considering the Poole-Frenkel effect”,
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (Online, 2020), Oral 1.
国内会議
GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性
〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10p-Z04-4.
GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性
〇高橋 英匡1，安藤 裕二1，山口 椋平3，分島 彰男3，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10a-Z04-3.
様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したMOSキャパシタの特性評価
〇NAM KyungPil1，石田 崇1,2，山田真嗣1,2,3，Maciej Matys2，加地徹2，須田淳1,2(1.名大院工、2.名大未来研、3.アルバック半電研)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10p-Z04-17.
GaN:C半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの共振特性
〇山田剛大1，安藤悠人1，渡邉浩崇2，古澤優太2，出来真斗1,5，田中敦之2,3，新田州吾2，本田善央2，須田淳1,2，天野浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10a-Z04-310a-Z02-8.
MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討
〇堀田昌宏1,2，成田哲生3，加地徹2，須田淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/11, 11a-Z04-2.
M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, and J. Suda, “Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/7, P1-5.
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda, “Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated ntype GaN”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/7, P1-6.
T. Ishida, K. Sakao, T. Kachi, and J. Suda, “Impact of Cell Pitch on High-speed Switching Performance in GaN Vertical Trench MOSFETs”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P2-20.
T. Yamada, Y. Ando, H. Watanabe, Y. Furusawa, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, J. Suda, and H. Amano, “Resonance characteristics of piezoelectric GaN cantilever fabricated by photoelectrochemical etching”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P3-22.
J. Sawada, L. Schowalter, and J. Suda, “Design of epitaxial layer structure for AlN/GaN/AlGaN quantum-well channel field-effect transistors grown on AlN substrate”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P3-25.
J. Sawada, L. Schowalter, and J. Suda, “Design of epitaxial layer structure for AlN/GaN/AlGaN quantum-well channel field-effect transistors grown on AlN substrate”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P3-25.
MOVPE法によるn型GaNドリフト層形成と残留不純物制御
成田哲生，堀田昌宏，冨田一義，加地徹，須田淳
第49回結晶成長国内会議, オンライン, 2020/11/9, 09p-A15.
超高圧アニールを用いたMgイオン注入GaNのp型伝導制御
櫻井秀樹，成田哲生，晝川十史，山田真嗣，片岡恵太，Malgorzata Iwinska，堀田昌宏，五十嵐信行，Michal Bockowski，須田淳，加地徹
第49回結晶成長国内会議, オンライン, 2020/11/9, 09p-A18.
陽電子を用いた超高圧焼鈍によるイオン注入GaNの欠陥回復特性の研究
上殿明良，櫻井秀樹，成田哲生，Sierakowski Kacper，Bockowski Michal，須田淳，石橋章司，嶋紘平，秩父重英，加地徹
第49回結晶成長国内会議, オンライン, 2020/11/9, 09p-A19.
GaN縦型トレンチMOSFETの界面特性に対する窒素プラズマ処理の効果
〇NAM KyungPil，石田崇，Matys Maciej，上杉勉，加地徹，須田淳堀田昌宏1,2，成田哲生3，加地徹2，須田淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/16, 16a-Z16-8.
AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析
〇成田哲生，伊藤健治，冨田一義，堀田昌宏，菊田大悟1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/16, 16a-Z16-9.
Mgイオン注入p型GaNにおける超高圧アニール温度の低減化に向けた検討
〇晝川十史，櫻井秀樹，藤倉序章，堀田昌宏，M. Bockowski，乙木洋平，加地徹，須田淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/16, 16p-Z07-8.
Mgイオン注入GaNの超高圧アニールによるMgとHの熱拡散
〇18a-Z15-1櫻井秀樹，成田哲生，晝川十史，角田健輔，山田真嗣，片岡恵太，堀田昌宏，五十嵐信行，M. Bockowski，須田淳，加地徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/16,
International Journals
M. Kaneko, K. Hirai, T. Kimoto, and J. Suda, “Multi-cycle RHEED oscillation under nitrogen supply in alternative source supply AlN growth by rf-MBE”,
Appl. Phys. Express, 13, 025503 (2020).
M. Akazawa, R. Kamoshida, S. Murai, T. Narita, M. Omori, J. Suda, and T. Kachi, “Effects of Dosage Increase on Electrical Properties of Metal‐Oxide‐Semiconductor Diodes with Mg‐Ion‐Implanted GaN Before Activation Annealing”,
phys. stat. sol. (b), 257, 1900367 (2020).
K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy for quick measurement of carbon-related hole trap density in n-type GaN”,
Jpn. J. Appl. Phys., 59, SGGD05 (2020).
S. Asada, J. Suda, and T. Kimoto, “Temperature Dependence of Conductivity Modulation in SiC Bipolar Junction Transistors”,
IEEE Trans. Elec. Dev., 67, 1699 (2020).
K. Iwata, H. Sakurai, S. Arai, T. Nakashima, T. Narita, K. Kataoka, M. Bockowski, M. Nagao, J. Suda, T. Kachi, and N. Ikarashi, “Defect evolution in Mg ions implanted GaN upon high temperature and ultrahigh N2 partial pressure annealing: Transmission electron microscopy analysis”,
J. Appl. Phys., 127, 105106 (2020).
K. Aoshima, K. Kanegae, M. Horita, and J. Suda, “Electron traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial n-type GaN and their annealing behavior”,
AIP Advances, 10, 045023 (2020).
M. Horita, T. Narita, T. Kachi, and J. Suda, “Identification of origin of EC–0.6 eV electron trap level by correlation with iron concentration in ntype GaN grown on GaN freestanding substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”,
Appl. Phys. Express, 13, 071007 (2020).
H. Sakurai, T. Narita, M. Omori, S. Yamada, A. Koura, M. Iwinska, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, and T. Kachi, “Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing”,
Appl. Phys. Express, 13, 086501 (2020).
T. Narita, H. Yoshida, K. Tomita, K. Kataoka, H. Sakurai, M. Horita, M. Bockowski, N. Ikarashi, J. Suda, T. Kachi, and Y. Tokuda, “Progress on and challenges of p-type formation for GaN power devices”,
J. Appl. Phys., 128, 090901 (2020).
H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, and T. Kachi, “Impacts of high temperature annealing above 1400° C under N2 overpressure to activate acceptors in Mg-implanted GaN”,
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 321 (2020).
S. Yamada, K. Takeda, M. Toguchi, H. Sakurai, T. Nakamura, J. Suda, T. Kachi, and T. Sato, “Depth profiling of surface damage in n-type GaN induced by inductively coupled plasma reactive ion etching using photo-electrochemical techniques”,
Appl. Phys. Express, 13, 106505 (2020).
T. Narita, M. Horita, K. Tomita, T. Kachi, and J. Suda, “Why do electron traps at EC–0.6 eV have inverse correlation with carbon concentrations in n-type GaN layers?”,
Jpn. J. Appl. Phys., 59, 105505 (2020).
A. Uedono, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, J. Suda, S. Ishibashi, S. F Chichibu, and T. Kachi, “Effects of ultra-high-pressure annealing on characteristics of vacancies in Mg-implanted GaN studied using a monoenergetic positron beam”,
Scientific reports, 10, 1-7 (2020).
Y. Ando, H. Takahashi, Q. Ma, A. Wakejima, and J. Suda, “Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs”,
IEEE Trans. Elec. Dev., 67, 5421 (2020).
T. Ishida, K. P. Nam, M. Matys, T. Uesugi, J. Suda, and T. Kachi, “Improvement of channel property of GaN vertical trench MOSFET by compensating nitrogen vacancies with nitrogen plasma treatment”,
Appl. Phys. Express, 13, 124003 (2020).
T. Nakashima, E. Kano, K. Kataoka, S. Arai, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, M. Nagao, J. Suda, T. Kachi, and N. Ikarashi, “Enhanced activation of Mg ion-implanted GaN at decreasing annealing temperature by prolonging duration”,
Appl. Phys. Express, 14, 011005 (2020).
International Presentations
H. Sakurai, T. Narita, K. Hirukawa, S. Yamada, A. Koura, K. Kataoka, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda and T. Kachi, “Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN”,
32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (Online, 2020), D2P-C-10.
T. Ishida, K. P. Nam, M. Matys, T. Uesugi, J. Suda and T. Kachi, “Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment”,
International Conference on Solid State Devices and Materials (Online, 2020), D-2-02.
S. Rokuno and J. Suda, “Numerical analysis of dynamic punch-through phenomenon in vertical GaN MOSFET structure with considering the Poole-Frenkel effect”,
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (Online, 2020), Oral 1.
国内会議
GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性
〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10p-Z04-4.
GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性
〇高橋 英匡1，安藤 裕二1，山口 椋平3，分島 彰男3，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10a-Z04-3.
様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したMOSキャパシタの特性評価
〇NAM KyungPil1，石田 崇1,2，山田真嗣1,2,3，Maciej Matys2，加地徹2，須田淳1,2(1.名大院工、2.名大未来研、3.アルバック半電研)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10p-Z04-17.
GaN:C半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの共振特性
〇山田剛大1，安藤悠人1，渡邉浩崇2，古澤優太2，出来真斗1,5，田中敦之2,3，新田州吾2，本田善央2，須田淳1,2，天野浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/10, 10a-Z04-310a-Z02-8.
MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討
〇堀田昌宏1,2，成田哲生3，加地徹2，須田淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第81回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2020/9/11, 11a-Z04-2.
M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, and J. Suda, “Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/7, P1-5.
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda, “Impact of The Schottky Barrier Height on Deep-level Transient Spectroscopy of Gamma-ray-irradiated ntype GaN”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/7, P1-6.
T. Ishida, K. Sakao, T. Kachi, and J. Suda, “Impact of Cell Pitch on High-speed Switching Performance in GaN Vertical Trench MOSFETs”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P2-20.
T. Yamada, Y. Ando, H. Watanabe, Y. Furusawa, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, J. Suda, and H. Amano, “Resonance characteristics of piezoelectric GaN cantilever fabricated by photoelectrochemical etching”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P3-22.
J. Sawada, L. Schowalter, and J. Suda, “Design of epitaxial layer structure for AlN/GaN/AlGaN quantum-well channel field-effect transistors grown on AlN substrate”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P3-25.
J. Sawada, L. Schowalter, and J. Suda, “Design of epitaxial layer structure for AlN/GaN/AlGaN quantum-well channel field-effect transistors grown on AlN substrate”,
第39回電子材料シンポジウム, オンライン, 2020/10/8, P3-25.
GaN縦型トレンチMOSFETの界面特性に対する窒素プラズマ処理の効果
〇NAM KyungPil1，石田 崇1,2，Matys Maciej2，上杉 勉2，加地 徹2，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/16, 16a-Z16-8.
AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析
〇成田 哲生1，伊藤 健治1，冨田 一義2，堀田 昌宏2，菊田 大悟1 (1.豊田中研、2.名古屋大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/16, 16a-Z16-9.
Mgイオン注入p型GaNにおける超高圧アニール温度の低減化に向けた検討
〇晝川 十史1，櫻井 秀樹1,2,3，藤倉 序章4，堀田 昌宏1,2，M. Bockowski2,5，乙木 洋平4，加地 徹2，須田 淳1,2 (1.名大工、2.IMaSS、3.（株）アルバック半電研、4.（株）サイオクス、5.UNIPRESS)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/18, 18a-Z15-1.
DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析
〇青島 慶人1，堀田 昌宏1,2，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/18, 18a-Z15-8.
酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ
〇柴田 優一1，堀田 昌宏1,2，田中 亮3，高島 信也3，上野 勝典3，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/18, 18a-Z15-10.
リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性
〇伊藤 滉二1，堀田 昌宏1,2，須田 淳1,2，木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/18, 18p-Z05-6.
GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性
〇前田 拓也1，成田 哲生2，山田 真嗣3,4，加地 徹3，木本 恒暢1，堀田 昌宏1,3,5，須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.アルバック先進研、5.名大院工)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/19, 19a-Z25-1.
AlGaN/GaN ホール効果測定素子の電流-電圧特性の基板依存性
〇田中 大貴1，分島 彰男3，安藤 裕二1，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/19, 19a-Z25-3.
ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
〇高橋 英匡1，安藤 裕二1，生島 百恵3，分島 彰男3，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/19, 19a-Z25-8.
i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製
〇安藤 裕二1，高橋 英匡1，分島 彰男3，須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第68回応用物理学会春季学術講演会, オンライン, 2021/3/19, 19p-Z25-2.