International Journals
M. Horita, T. Narita, T. Kachi, and J. Suda,
“Nitrogen-displacement-related electron traps in n-type GaN grown on a GaN freestanding substrate”,
Appl. Phys. Lett., 118, 012106 (2021).
K. Aoshima, M. Horita, J. Suda, and T. Hashizume,
“Impact of gamma-ray irradiation on capacitance–voltage characteristics of Al2O3/GaN MOS diodes with and without post-metallization annealing”,
Appl. Phys. Express, 14, 015501 (2021).
S. Rokuno, and J. Suda,
“Design guidelines suppressing dynamic punch-through in GaN vertical MOSFETs by considering the Poole–Frenkel effect”,
Appl. Phys. Express, 14, 024001 (2021).
T. Yamada, Y. Ando, H. Watanabe, Y. Furusawa, A. Tanaka, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, J. Suda, and H. Amano,
“Fabrication of GaN cantilever on GaN substrate by photo-electrochemical etching”,
Appl. Phys. Express, 14, 036505 (2021).
M. Matys, T. Ishida, K. P. Nam, H. Sakurai, T. Narita, T. Uesugi, M. Bockowski, J. Suda, and T. Kachi,
“Mg-implanted bevel edge termination structure for GaN power device applications”,
Appl. Phys. Lett., 118, 093502 (2021).
S. Yamada, H. Sakurai, Y. Osada, K. Furuta, T. Nakamura, R. Kamimura, T. Narita, J. Suda, and T. Kachi,
“Formation of highly vertical trenches with rounded corners via inductively coupled plasma reactive ion etching for vertical GaN power devices”,
Appl. Phys. Lett., 118, 102101 (2021).
K. Hirukawa, K. Sumida, H. Sakurai, H. Fujikura, M. Horita, Y. Otoki, K. Sierakowski, M. Bockowski, T. Kachi, and J. Suda,
“Isochronal annealing study of Mg-implanted p-type GaN activated by ultra-high-pressure annealing”,
Appl. Phys. Express, 14, 056501 (2021).
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda,
“Impact ionization coefficients and critical electric field in GaN”,
J. Appl. Phys., 129, 185702 (2021).
T. Narita, Y. Nagasato, M. Kanechika, T. Kondo, T. Uesugi, K. Tomita, S. Ikeda, S. Yamaguchi, Y. Kimoto, M. Kosaki, T. Oka, J. Kojima, and J. Suda
“Increase of reverse leakage current at homoepitaxial GaN pn junctions induced by continuous forward current stress”,
Appl. Phys. Lett., 118, 253501 (2021).
K Kanegae, T Narita, K Tomita, T Kachi, M Horita, T Kimoto, J Suda,
“Photoionization cross section ratio of nitrogen-site carbon in GaN under sub-bandgap-light irradiation determined by isothermal capacitance transient spectroscopy”,
Appl. Phys. Express, 14, 091004 (2021).
T Ishida, K Sakao, T Kachi, and J Suda
“Impact of channel mobility on design optimization of 600–3300 V-class high-speed GaN vertical-trench MOSFETs based on TCAD simulation”,
Appl. Phys. Express, 14, 094002 (2021).
K Kanegae, T Okuda, M Horita, J Suda, and T Kimoto,
“Depth profiles of electron traps generated during reactive ion etching in n-type 4H-SiC characterized by using isothermal capacitance transient spectroscopy”,
J. Appl. Phys., 130, 105703 (2021).
H. Takahashi, Y. Ando, Y. Tsuchiya, A. Wakejima, H. Hayashi, E. Yagyu, K. Kikkawa, N. Sakai, K. Itoh, and J. Suda,
“Electrical characteristics of gated‐anode diodes based on normally‐off GaN HEMT structures for rectenna applications”,
Elec. Lett., 57, 810-812 (2021).
T. Shoji, T. Narita, Y. Nagasato, M. Kanechika, T. Kondo, T. Uesugi, K. Tomita, S. Ikeda, T. Mori, S. Yamaguchi, Y. Kimoto, J. Kojima, J. Suda,
“Analysis of intrinsic reverse leakage current resulting from band-to-band tunneling in dislocation-free GaN p–n junctions”,
Appl. Phys. Express, 14, 114001 (2021).
H. Sakurai, T. Narita, K. Kataoka, K. Hirukawa, K. Sumida, S. Yamada, K. Sierakowski, M. Horita, N. Ikarashi, M. Bockowski, J. Suda, and T. Kachi,
“Effects of the sequential implantation of Mg and N ions into GaN for p-type doping”,
Appl. Phys. Express, 14, 111001 (2021).
Y Ando, R Makisako, H Takahashi, A Wakejima, and J Suda,
“Fabrication of 150‐nm AlGaN/GaN field‐plated High Electron Mobility Transistors using i‐line stepper”,
Elec. Lett., 57, 948-949 (2021).
K Aoshima, M Horita, and J Suda,
“Effect of Schottky barrier height on quantitative analysis of deep-levels in n-type GaN by deep-level transient spectroscopy”,
AIP Advances, 11, 115124 (2021).
T Maeda, T Narita, S Yamada, T Kachi, T Kimoto, M Horita, and J Suda,
“Breakdown Electric Field of GaN p+-n and p-n+ Junction Diodes with Various Doping Concentrations”,
IEEE Elec. Dev. Lett.
Y Ando, R Makisako, H Takahashi, A Wakejima, and J Suda,
“Dependence of Electrical Characteristics on Epitaxial Layer Structure of AlGaN/GaN HEMTs Fabricated on Freestanding GaN Substrates”,
IEEE Trans. Elec. Dev., 69, 88 (2022).
K. Sumida, K. Hirukawa, H. Sakurai, K. Sierakowski, M. Horita, M. Bockowski, T. Kachi, J. Suda,
“Effect of annealing time and pressure on electrical activation and surface morphology of Mg-implanted GaN annealed at 1300° C in ultra-high-pressure nitrogen ambient”,
Appl. Phys. Express, 14, 121004 (2021).
International Presentations
M. Endo, M. Horita, and J. Suda, “Nitrogen-displacement-related hole traps introduced by electron beam irradiations in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN”,
The 31st International Conference on Defects in Semiconductors (Online, 2021), Nitrides-2.
K. Aoshima, N. Taoka, M. Horita, and J. Suda, “SiO2/n-GaN MOS structures with low interface state density formed by plasma-enhanced atomic layer deposition method”,
Solid State Devices and Materials 2021 (Online, 2021), D-7-06.
S. Yamada, T. Ishida, T. Nakamura, R. Kamimura, J. Suda, and T. Kachi, “Corner Shape Control of GaN Trench Structure Formed by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching”,
Solid State Devices and Materials 2021 (Online, 2021), D-7-07.
K. Ito, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto, “Universal Mobility in SiC MOSFETs with Very Low Interface State Density”,
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021 (Online, 2021), Tu-1B-02.
M. Horita and J. Suda, “Investigation of Electron Traps in Homoepitaxial n-type GaN Grown by MOVPE”,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (Online, 2021), A1-Ⅲ-1.
M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, and J. Suda, “Nitrogen-displacement-related
Hole Traps in N-type GaN with Electron Beam Irradiations in the Energy Range from 100 to 400 keV”,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (Online, 2021), A1-Ⅲ-2.
K. Sumida, K. Hirukawa, H. Sakurai, M. Horita, M. Bockowski, T. Kachi, and J. Suda, “Isothermal Annealing Study on Mg-implanted Homoepitaxial GaN”,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (Online, 2021), A1-Ⅲ-3.
K. Aoshima, M. Horita, and J. Suda, “Hole traps formed by gamma-ray irradiation in homoepitaxial p-type GaN”,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (Online, 2021), A1-P-2.
T. Nakashima, E. Kano, K. Kataoka, S. Arai, H. Sakurai, T. Narita, K. Sierakowski, M. Bockowski, M. Nagao, J. Suda, T. Kachi, and N. Ikarashi, “Time evolution of crystallographic defects in Mg ion-implanted GaN during annealing”,
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (Online, 2021), A1-P-3.
国内会議
ホモエピタキシャル成長p型GaN中の窒素原子変位関連欠陥により形成されるホールトラップ
〇遠藤 彗1, 堀田 昌宏1,2, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第82回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2021/9/11, 11a-N305-7.
N極性面GaN基板上Si添加GaNスパッタ膜の表面形態
〇山田 真嗣, 白井 雅紀, 小林 宏樹, 上村 隆一郎, 加地 徹, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第82回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2021/9/11, 11a-N305-10.
N極性面GaN基板上Si添加GaNスパッタ膜の表面形態
〇山田 真嗣1, 白井 雅紀2, 小林 宏樹2, 上村 隆一郎2, 加地 徹3, 須田 淳1,3 (1.名大院工、2.アルバック、3.名大未来研)
第82回応用物理学会秋季学術講演会, オンライン, 2021/9/11, 11a-N305-10.
M. Endo, M. Horita and J. Suda, “Nitrogen-displacement-related hole traps in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN”,
40th Electronic Materials Symposium, オンライン, 2021/10/11, P1-A09.
Mgイオン注入p型GaN活性化のための超高圧アニールの温度・圧力低減に向けた検討
角田 健輔, 晝川 十史, 櫻井 秀樹, 堀田 昌宏, M. Bockowski, 加地 徹, 須田 淳
先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン, 2021/12/9, IA-7.
GaNメサ型pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性におけるヒステリシスの起源
大橋 拓斗, 兼近 将一, 近藤 健, 上杉 勉, 冨田 一義, 堀田 昌宏, 須田 淳
先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン, 2021/12/9, IB-7.
リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層濃度依存性
伊藤 滉二, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢
先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン, 2021/12/10, IIA-10.
AlSiOゲート酸化膜を用いたGaNパワーMOSFET の進展と課題
成田 哲生, 伊藤 健治, 菊田 大悟, 冨田 一義, 堀田 昌宏, 加地 徹
電子デバイス界面テクノロジー研究会 第27回研究会, オンライン, 2022/1/29, ‘8-3.
サブバンドギャップ光照射ICTSによるn型GaN中電子トラップの光イオン化断面積比の評価
〇遠藤 彗1, 堀田 昌宏1,2, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/23, 23p-E302-2.
超低濃度Siイオン注入GaNにおける実効ドナー密度深さ方向分布のアニール温度依存性
〇井口 紘子1, 堀田 昌宏1,2, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/23, 23p-E302-4.
GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスのバッファ層不純物依存性
〇高橋 英匡1, 安藤 裕二1, 分島 彰男3, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/22, 22a-E302-3.
超高圧アニールを施したAlSiO/n-GaN MOS構造の特性評価
〇常角 智也1, 兼近 将一2, 加地 徹2, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/24, 24a-E302-5.
ホモエピタキシャル成長GaN pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性に現れるピークの起源
〇大橋 拓斗1, 兼近 将一2, 近藤 健2, 上杉 勉2, 冨田 一義2, 堀田 昌宏1,2, 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/23, 23p-E302-11.
様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性
〇伊藤 滉二1, 田中 一1,2, 堀田 昌宏1,3, 須田 淳1,3, 木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/24, 24p-E302-8.
縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるしきい値変動
〇稲垣 光希1, 岡 徹1,2, 田中 成明2, 長谷川 一也2, 泉 貴富2, 須田 淳1 (1.名大、2.豊田合成)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/24, 24a-E302-4.
無転位GaN p-n接合における逆バイアス下のバンド間トンネルリーク電流
〇成田 哲生1, 庄司 智幸1, 長里 喜隆2, 兼近 将一3, 近藤 健3, 上杉 勉3, 冨田 一義3, 池田 智史2, 森 朋彦1, 山口 聡2, 木本 康司1, 小島 淳3, 須田 淳3(1.豊田中研、2.ミライズ・テクノロジーズ、3.名古屋大)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/23, 23p-E302-8.
順方向電流ストレスによるGaN p-n接合の逆方向リーク電流の増加
〇成田 哲生1, 長里 喜隆2, 兼近 将一3, 近藤 健3, 上杉 勉3, 冨田 一義3, 池田 智史2, 山口 聡1, 木本 康司1, 小嵜 正芳4, 岡 徹4, 小島 淳3, 須田 淳3 (1.豊田中研、2.ミライズ・テクノロジーズ、3.名古屋大、4.豊田合成)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/23, 23p-E302-9.
N極性面半絶縁性GaN基板上Si添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価
〇山田 真嗣1, 李 太喜1, 白井 雅紀2, 小林 宏樹2, 上村 隆一郎2, 新井 学1, 加地 徹1, 須田 淳1 (1.名大、2.アルバック)
第69回応用物理学会春季学術講演会, 青山学院大学/オンライン, 2022/3/22, 22a-E302-12.
超高圧アニールで活性化したMgイオン注入p型GaNの電気的特性
須田 淳, 加地 徹
ワイドギャップ半導体学会 第5回研究会, オンライン, 2022/3/11, (2).