2017年6月8日に大阪大学豊中キャンパスで開催される応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス～成長およびデバイスプロセスの理解～」において須田が「MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響」で講演を行います。
情報デバイス工学講座 先端デバイスグループ
情報デバイス工学講座 先端デバイスグループ
2017年6月8日に大阪大学豊中キャンパスで開催される応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス～成長およびデバイスプロセスの理解～」において須田が「MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響」で講演を行います。