本研究室の林くんと平田くんがM1中間発表会 優秀賞を受賞

林慶祐くん（M1）と平田拓巳くん（M1）が2023年度 修士論文中間発表会 優秀賞を受賞しました。
発表タイトルは、「酸素イオン注入したn型GaNにおける、バイアス印可に伴う実行ドナー密度変動の期限に対する考察」（林くん）および「長時間超高圧アニール（UHPA）によるAlSiO/n-GaN MOS界面特性の改善」 （平田くん）です。