ハイブリッド（東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン）で2024/3/22~3/25に開催される第71回応用部物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [24a-52A-3] ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりEC − 1 e V 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
    〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [24a-52A-4] ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定
    〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1 (1.名大院工、2.名大未来研)
  3. [24a-52A-7] 酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
    〇林 慶祐1、堀田 昌宏1,2、田中 亮3、高島 信也3、上野 勝典3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)
  4. [24p-52A-15] i線ステッパーによる100 nm級AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製
    〇安藤 裕二1,2、牧迫 隆太郎1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  5. [24p-52A-18] 高濃度n型GaNスパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
    〇田中 希帆1、山田 真嗣1、新井 学2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)
  6. [24p-52A-19] n型GaNスパッタ膜の電気的特性に対するアニール効果
    〇山田 真嗣1、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大)
  7. [25a-52A-1] Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
    〇角田 健輔1、片岡 恵太3、成田 哲生3、堀田 昌宏1,2、加地 徹1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)
  8. [25a-52A-3] Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード
    〇北川 和輝1、Maciej Matys2、上杉 勉2、加地 徹2、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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