角田健輔くん(D2)と北川和輝くん(D1)が第71回(2024年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
発表タイトルは、「Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果」(角田くん)および「Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード」(北川くん)です。

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