ハイブリッド（東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン）で2026/3/15~3/18に開催される第73回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [16a-W8E_101-3] 低濃度Mgイオン注入および超高圧アニールを行った p 型GaN層に存在するトラップの評価
    〇板倉 ほの香1、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [16a-W8E_101-6] MgおよびNイオン連続注入と超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードの電流-電圧特性に対するTCAD解析
    〇北川 和輝1、上杉 勉2、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  3. [16a-W8E_101-8] AlSiO/p-GaN MOSキャパシタの容量-電圧特性において温度上昇に伴い顕在化する二段階プラトー
    〇清 史幸1、伊藤 健治2、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  4. [17a-W8E_101-9] AlSiOゲート酸化膜GaN MOSFETの正バイアスストレスによるしきい値電圧変動の温度依存性のPDA条件による違い
    〇市川 雄基1、平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  5. [17p-W8E_101-7] n+キャップ層を有するワイドリセス構造AlGaN/GaN HEMTの二層伝送線路モデルによるキャップ層-チャネル間界面抵抗の抽出
    〇藤本 拓也1、安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.熊本大)
  6. [17p-W8E_101-12] AlN基板上シュードモルフィック AlN/GaN/AlN HEMTにおけるバイアスストレス印加による閾値の負方向シフト
    〇森 臣能1、李 太起2,3、吉川 陽2,3、杉山 聖2,3、新井 学3、安藤 裕二1,3、須田 淳1,3、天野 浩1,3 (1.名大院工、2.旭化成、3.名大IMass)
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