北川　和輝　(Kazuki Kitagawa)

博士後期課程2年生  (未来エレクトロニクス創成加速 DII協働大学院プログラム 5期生)

研究テーマ (Research topic)

高性能縦型GaN JBS (Junction Barrier Schottky) ダイオードの実現に向けたMgチャネリングイオン注入および超高圧アニールに関する研究

経歴

  • 2024年4月 – 現在：名古屋大学 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2024年3月：名古屋大学 工学研究科 電子工学専攻 修士課程 修了
  • 2022年3月：名古屋大学 工学部 電気電子情報工学科 卒業
  • 2017年3月：大阪府立三国丘高等学校 卒業

論文 (Paper)

  1. Kazuki Kitagawa, Tsutomu Uesugi, Masahiro Horita, Tetsu Kachi, and Jun Suda, “Estimation of net acceptor activation ratio of channeled-implanted Mg from breakdown voltage analysis of vertical GaN p-n junction diodes with junction termination extension”, Japanese Journal of Applied Physics, (2025).
  2. Kazuki Kitagawa,  Maciej Matys, Tsutomu Uesugi, Masahiro Horita, Tetsu Kachi, and Jun Suda, “Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes Fabricated by Using Channeled Implantation of Mg Ions and Ultra-High-Pressure Annealing”, IEEE Transactions on Electron Devices, (2025).
  3. Kazuki Kitagawa,  Maciej Matys, Tetsu Kachi, and Jun Suda, “Study on the Impact of Mg-Channeled Implantation on Junction Termination Extension for GaN Vertical Power Devices Using TCAD Simulation”, IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 9 (2024).
  4. M. Matys, K. Kitagawa, T. Narita, T. Uesugi, M. Bockowski, J. Suda and T. Kachi, “Design and fabrication of vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers using Mg ion implantation”,
    Jpn. J. Appl. Phys. 62, SN0801 (2023).
  5. M. Matys, K. Kitagawa, T. Narita, T. Uesugi, J. Suda, and T. Kachi, “Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers with low on resistance, low turn-on voltage, and nearly ideal nondestructive breakdown voltage”, Appl. Phys. Lett. 121, 203507 (2022).

国際会議 (Conference)

  1. ○Kazuki Kitagawa, Tsutomu Uesugi, Masahiro Horita, Tetsu Kachi, and Jun Suda,”Breakdown Voltage Analysis of Vertical GaN p-n Junction Diodes with Junction Termination Extension Formed by Channeled Mg Implantation”15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2025), (Malmo, Sweden, 2025).
  2. ○Kazuki Kitagawa, Tsutomu Uesugi, Masahiro Horita, Testu Kachi, and Jun Suda, “Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes”, The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2025), (Kumamoto, Japan, 2025), Paper ID: 5164.
  3. ○Kazuki Kitagawa, Maciej Matys, Tsutomu Uesugi, Masahiro Horita, Testu Kachi, and Jun Suda, “Characterization of GaN vertical JBS diodes fabricated by channeled implantation of Mg ions and subsequent ultra-high-pressure annealing”, 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024), (O’ahu, Hawai’i, U.S., 2024), 379.
  4. ○Kazuki Kitagawa, Maciej Matys, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Testu Kachi, and Jun Suda, “Fabrication of vertical GaN junction barrier Schottky diodes using Mg ion implantation”, 15th Topical Workshop onHeterostructure Microelectronics (TWHM 2024), (Miyagi, Japan, 2024), 7-4.
  5. ○Kazuki Kitagawa,  Maciej Matys, Tetsu Kachi, and Jun Suda, “Expansion of Optimized Dose Range in Junction Termination Extension Structure for GaN Vertical Power Devices by Utilizing Mg Channeling Implantation”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2023), (Fukuoka, Japan, 2023), TuP-ED22.
  6. ○T. Kachi, M. Matys, K. Kitagawa, T. Uesugi, T. Narita and J. Suda, “Vertical GaN Power Devices Using Selective Area Doping with Ion Implantation”,
    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2023), (Fukuoka, Japan, 2023), ED2-1.
  7. ○Maciej Matys, Tsutomu Uesugi, Kazuki Kitagawa, Jun Suda, and Tetsu Kachi, “Mg-implanted Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes with Low On-Resistance, High Breakdown Voltage, Low Turn-On Voltage and Avalanche Capability”,
    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022), (Berlin, Germany, 2022), AT047.

国内会議 (Conference in Japan)

  1. ○北川 和輝, Maciej Matys, 上杉 勉, 堀田 昌宏, 加地 徹, 須田 淳, “Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードにおける電流–電圧特性の注入量依存性”, 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 新潟県 (9月, 2024), 口頭発表, 16a-A22-9. [講演奨励賞受賞記念講演(招待講演)]
  2. ○北川 和輝, Maciej Matys, 上杉 勉, 堀田 昌宏, 加地 徹, 須田 淳, “Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード”, 第71回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都 (3月, 2024), 口頭発表, 25a-52A-3. [応用物理学会講演奨励賞 受賞]
  3. ○北川 和輝, 加地 徹, 堀田 昌宏, 須田 淳, “Mg/N 共注入および超高圧アニールを用いて作製した GaN p-n 接合ダイオード”, 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本県 (9月, 2023), 口頭発表, 21p-B201-14.
  4. ○北川 和輝, Maciej Matys, 加地 徹, 須田 淳, “Mgチャネリング注入によるGaN縦型パワーデバイスJTE構造の最適ドーズ幅拡大効果”, 第83回 応用物理学会 春季学術講演会, 宮城県 (9月, 2022), 口頭発表, 22p-B204-5.

受賞歴等

  1. 第55回(2024年春季)応用物理学会講演奨励賞 (2024年9月) 参考
  2. IEEE Nagoya Section Excellent Student Award (2024年3月)

その他 (Others)

  1. Stanford University Visting Student Researcher (2024年10月-2025年3月)
  2. 24th IIT 2024 Satellite Workshopにて講演 (2024年9月)

連絡先

kitagawa.kazuki.s8@s.mail.nagoya-u.ac.jp