固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。
[D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment
〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))
