ハイブリッド（熊本城ホールほか3会場＋オンライン）で2023/9/19～9/23に開催される第84回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [21p-B201-12]超低濃度Siイオン注入を行ったn型GaNエピタキシャル層上に作製したショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性
    〇井口 紘子1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [21p-B201-14]Mg/N 共注入および超高圧アニールを用いて作製した GaN p-n 接合ダイオード
    〇北川 和輝1、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  3. [22a-B201-1][講演奨励賞受賞記念講演] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN中の再結合中心の評価
    〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  4. [22a-B201-5]HVPE法で作製したFe，C，Mnドープ半絶縁性GaN基板の電気的特性評価
    〇田中 大貴1、磯 憲司2,3、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)
  5. [22p-B201-6]AlSiO/n-GaN MOS構造の容量-電圧特性における超高圧アニール時間依存性
    〇平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  6. [22p-B201-14]スパッタ成膜n型GaN層の表面形態に対する窒素ラジカル照射効果
    〇山田 真嗣1、田中 希帆1、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大)
  7. [20a-B101-11][講演奨励賞受賞記念講演] バルクGaNの最高移動度の更新と室温移動度の特異な振る舞い
    〇金木 奨太1、今野 泰一郎1、木村 健司1、鐘ヶ江 一孝2,3、須田 淳3,4、藤倉 序章1 (1.住友化学、2.京大院工、3.名大院工、4.名大未来研)
  8. [20p-A302-2]ミストCVD成長β-Ga2O3を用いたMESFET
    〇(D)高根 倫史1、安藤 裕二2、高橋 英匡2、牧迫 隆太郎2、池田 光1、上田 哲三3、須田 淳2、田中 勝久1、藤田 静雄1、菅谷 英生3 (1.京大、2.名大、3.パナソニック)
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