東京工業大学大岡山キャンパスにて2019/3/9～3/12の日程で開催される第66回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [11a-M121-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動 〇遠藤 彗1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研) [11a-M121-5] ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、上杉 勉3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) [11p-PB3-8] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [9a-M12 …
投稿者: suda
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2018年秋応用物理学会
名古屋国際会議場にて2018/9/18～9/21の日程で開催される第79回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [20p-CE-9] GaN系パワーデバイスの最近の進展と今後の展開 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [20a-331-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化 釣本 浩貴1、堀田 昌宏2、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研) [20a-141-6] 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価 伊藤 滉二1、小 …
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2018年春応用物理学会
早稲田大学西早稲田キャンパスにて2018/3/17～3/20の日程で開催される第65回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [19a-C302-2] ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価 〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大院工) [19a-C302-3] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップ 〇(B)青島 慶人1、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳2,3,4 (1.名大工、2.京大院工、3.名大未来研、4.名大院工) [20p-D103-4] SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価 〇伊藤 滉二1、立木 馨大1、小林 拓真1、堀 …
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2017年秋応用物理学会
2017年秋季応用物理学会のシンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～」で 「GaN縦型パワーデバイスにおける点欠陥制御の重要性」 須田 淳1,2,3, 堀田 昌宏3 (1.名大院工、2.名大未来材シス研、3.京大院工) の招待講演を行いました。
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NE先端テクノロジーフォーラム
7月7日に東京・御茶ノ水で行われたNE先端テクノロジーフォーラムで 「GaNパワー半導体の研究開発の最新動向と将来」 名古屋大学大学院工学研究科教授 須田 淳 で講演を行いました。
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結晶工学スクール
2017年7月31日から8月2日の日程で名古屋大学において応用物理学会 結晶工学分科会「結晶工学スクール」が開催されます。須田は8月2日の「電気的評価の基礎と実践」の講義を担当します。結晶成長から結晶の評価まで総合的に勉強できる素晴らしいスクールですので是非ご参加下さい。8月1日の夕方には恒例の「結晶工学なんでも聞いていいん会!?」が行われます。講師の先生方や分科会幹事の方々に質問・議論ができるチャンスです。
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応用電子物性分科会研究例会
2017年6月8日に大阪大学豊中キャンパスで開催される応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会「ワイドバンドギャップ半導体デバイス～成長およびデバイスプロセスの理解～」において須田が「MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響」で講演を行います。
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研究室が発足しました
2017年4月1日、名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻の情報デバイス工学講座に先端デバイスグループ・須田研究室が発足しました。窒化物半導体パワーデバイスを中心に、ワイドギャップ半導体電子デバイスの研究を推進します。どうかよろしくお願いします。