カテゴリー: 学会発表

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    2020年春応用物理学会

    オンラインにて2020/3/12～3/15の日程で開催される第67物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [12p-B401-15] GaN-HEMTのリーク電流におけるフィールドプレート膜応力の影響 〇安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [13a-B401-2] DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価 〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研) [14a-B401-1] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性 〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [15p-A201-7] リン処理を施したSiC …

  • 2019年秋応用物理学会

    北海道大学にて2019/9/18～9/21の日程で開催される第80回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [18p-N302-7] ショットキー接合のC–V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討 〇(M1)六野 祥平1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [18p-N302-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [18p-N302-4 …

  • 2019年窒化物半導体国際会議

    米国ワシントン州にて2019/7/7-12に開催された窒化物半導体国際会議(International Conference on Nitiride Semiconductors, ICNS-13)において当研究室から以下の発表が行われました。 EP01.06 Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers Satomu Furuta1, Masahiro Horita1, 2, Nariaki Tanaka3, Tohru Oka3 and Jun Suda1, 2; 1Nagoya University, Japan; 2Institute of Materials and Systems for Sustainability, Jap …

  • 2019年窒化物半導体国際会議にて基調講演

    米国ワシントン州にて2019/7/7-12に開催された窒化物半導体国際会議(International Conference on Nitiride Semiconductors, ICNS-13)において須田教授がノーベル賞受賞者のUCSBの中村修二先生に続いて基調講演を行いました。 SESSION PL01: Plenary Session I Session Chairs: Stacia Keller and Christian Wetzel Monday Morning, July 8, 2019 8:45 AM Welcome / Opening Ceremony by W. Alan Doolittle, Georgia Institute of Technology 9:00 AM *PL01.01 Developments of Nonpolar/Semipolar Edg …

  • 2019年春応用物理学会

    東京工業大学大岡山キャンパスにて2019/3/9～3/12の日程で開催される第66回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [11a-M121-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動 〇遠藤 彗1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研) [11a-M121-5] ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、上杉 勉3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)  [11p-PB3-8] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [9a-M12 …

  • 2018年秋応用物理学会

    名古屋国際会議場にて2018/9/18～9/21の日程で開催される第79回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [20p-CE-9] GaN系パワーデバイスの最近の進展と今後の展開 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [20a-331-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化 釣本 浩貴1、堀田 昌宏2、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研) [20a-141-6] 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価 伊藤 滉二1、小 …

  • 2018年春応用物理学会

    早稲田大学西早稲田キャンパスにて2018/3/17～3/20の日程で開催される第65回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [19a-C302-2] ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価 〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大院工) [19a-C302-3] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップ 〇(B)青島 慶人1、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳2,3,4 (1.名大工、2.京大院工、3.名大未来研、4.名大院工) [20p-D103-4] SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価 〇伊藤 滉二1、立木 馨大1、小林 拓真1、堀 …

  • 2017年秋応用物理学会

    2017年秋季応用物理学会のシンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～」で 「GaN縦型パワーデバイスにおける点欠陥制御の重要性」 須田 淳1,2,3, 堀田 昌宏3 (1.名大院工、2.名大未来材シス研、3.京大院工) の招待講演を行いました。