学生座談会

須田研を検討中の電気電子情報工学科の3年生のみなさんへ 研究室の在学生との懇談の場を設けます。 研究室の雰囲気や研究テーマ、研究室の日常など、いろいろ聞いてください。 教員は同席しませんのでお気軽に。 日時:2021/1/8 (金) 17:00~18:30 場所:オンライン(Zoom) 参加はこちらから

配属課題

課題1 エネルギーバンド構造 固体(結晶)における金属、半導体、絶縁体の違いをエネルギーバンド構造を用いて説明せよ。次の点に留意して説明すること。 ①なぜ結晶中ではエネルギーバンド構造が生じるのか、孤立原子の離散的エネルギー準位を出発として説明してみよ。②金属(Al)、半導体(Si)、絶縁体(SiO2=石英)の極低温(T=0K)の状態、室温(T=300K)の状態における電気伝導について説明せよ。 須田の固体電子工学の講義動画(ここにほぼ答えがあります)とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。 さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題2 トランジスタの歴史 世界で最初のトランジスタ「点接触型トランジスタ」は、狙って「発明」されたものではなく、半導体の表面状態を研究する過程での「発見」であった。それをわずか1年で実用的なトランジスタ「 …

先進パワー半導体分科会講演会チュートリアル

応用物理学会先進パワー半導体分科会・第7回講演会のチュートリアル(2020/12/8, オンライン開催)において、須田教授が半導体の絶縁破壊現象の基礎について講演(55分間)を行いました。 2020年チュートリアルプログラム 開会の挨拶 須田 淳 分科会幹事長 半導体の絶縁破壊現象の基礎 Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors 須田 淳 名古屋大学 信頼度解析の基礎 Basics of Reliability Theory 大村 一郎 九州工業大学 Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of Si IGBTs and SiC MOSFETs 岩室 憲幸 筑波大学 ワイドバンドギャップ半導体MO …

SSDM 2020

固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。 [D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment 〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))

ISPSD 2020

パワー半導体デバイスおよび集積回路に関する国際シンポジウム(ISPSD 2020, 2020/9/13-18, オンライン開催)のポスターセッションにおいて当研究室の櫻井氏が発表を行いまいた。 Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kazufumi Hirukawa, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, Jun Suda, Tetsu Kachi

2020年秋応用物理学会

オンラインにて2020/9/8~9/11程で開催される第81回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) [10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大) [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したM …

2020年春応用物理学会

オンラインにて2020/3/12~3/15の日程で開催される第67物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [12p-B401-15] GaN-HEMTのリーク電流におけるフィールドプレート膜応力の影響 〇安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [13a-B401-2] DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価 〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研) [14a-B401-1] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性 〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面にお …