須田研究室

課題１　半導体結晶の見た目 半導体ウエハ(円盤状に加工された半導体の単結晶)の見た目は材料によりまちまちである。Siは銀色の鏡のようであり、GaPは半透明のオレンジ色、GaNは無色透明である。このようになる理由を固体物理学で説明せよ。それぞれの半導体材料のバンドギャップはネットで調べよ。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにかなりの答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 上記で説明していない重要な概念として反射率があります。物質の屈折率は、光吸収がなければ実数です。反射率を調べてみましょう。透明だと反射しないと思うのは素人考えです。(透明なガラスに向かって立つと、その先の景色が良く見えますが、うっすら自分の姿が写りますよね。わずかな反射があるということです。)光吸収があると屈折率 …

開始5分前にC-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 2024/1/18(木) 17:30~18:30 2024/1/19(金) 12:00~13:00 2024/1/19(金) 17:30~18:30 参加者は各回10名以内を目安とします。参加希望者は、第一希望、第二希望を記して suda@nagoya-u.jp に連絡してください。先着順とします。(1/18は予約不要です。1/19は予約なしでも人数範囲内なら受け入れます。) 1/18,19で都合のつかない人は来週、個別に対応します。時間帯の候補を2,3挙げて相談してください。 見学会に参加する人は、以下のWeb記事を予め読んでおいてください。https://www.jsap.or.jp/columns/gx/e2-4

10/10の見学会に都合のつかない方がいるようですので、10/11 13:30~14:15で見学会を開催します。 C-TECs棟 6Fエレベーターホールに13:30に集合してください。 http://www.gan-conso.jp/contact/images/MAP_C-TECs.pdf 10/10に参加する人は参加不要です。(同じことを説明するだけですので。) 参加希望の人はsuda@nagoya-u.jpまで知らせてください。

電気電子情報工学科3年生で当研究室での研究室インターンシップを検討している学生のみなさんへ 研究室の見学会を10/10 14:50-15:30で行います。 私は10/10は13:00-14:30までIB071で講義をしています。大学院科目の「半導体パワーデバイス工学特論」ですが、当研究室の研究内容と非常に関連しています。10/10の回(第2回 pn接合の絶縁破壊)は学部(固体電子工学及び演習)の知識で十分に理解できるので、予定が空いている人は授業も聴講してもらえたらと思います。講義に参加する人は14:35に講義室を出発して一緒にC-TECsまで歩いて行きましょう。 見学のみ参加の人は14:50にC-TECs棟 6F エレベーターホールで待っていてください。 http://www.gan-conso.jp/contact/images/MAP_C-TECs.pdf 参加希望の人はsuda@n …

ハイブリッド（熊本城ホールほか3会場＋オンライン）で2023/9/19～9/23に開催される第84回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

ハイブリッド（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）で2023/3/15～3/18に開催される第70回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

課題１　半導体結晶の見た目 半導体ウエハ(円盤状に加工された半導体の単結晶)の見た目は材料によりまちまちである。Siは銀色の鏡のようであり、GaPは半透明のオレンジ色、GaNは無色透明である。 このようになる理由を固体電子工学を受講前のみなさんのレベルを思い出して、説明せよ。（おそらく、皆さんは波長と色の関係さえ知らなかったですよね。）それぞれの材料のバンドギャップはネットで調べよ。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにほぼ答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題２　MOSFET MOSFETは、ゲート端子の電位(実際にはゲート-ソース間電圧Vgs)により、ソース端子とドレイン端子の導通を制御できる、ある種の電子的なスイッチである。また、MOSFETにはnチャネル型とpチャネ …

開始5分前にC-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 2023/1/19(木) 17:30~18:30 2023/1/23(月) 13:00~14:00 <–追加しました 2023/1/23(月) 17:00~18:00 コロナ対策として参加者は各回10名以内を目安とします。参加希望者は、第一希望、第二希望を記して suda@nagoya-u.jp に連絡してください。先着順とします。(予約なしでも人数範囲内なら受け入れます。) 参加する人は、以下のWeb記事を予め読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術　パワーエレクトロニクスによる電力エネルギーの効率的利用　総論　須田 淳　先進パワー半導体分科会・幹事長／名古屋大学

須田教授が2022年12月に米国サンフランシスコで開催されたIEEE電子デバイス国際会議(IEDM)のPower Devices and Systems分野で招待講演を行いました。 “Current Status and Future Prospects of GaN-on-GaN Vertical Power Devices” 日経XTECHで報告内容が紹介されています。「新パワー半導体「縦型GaN」、シリコン並みコストが視野」2023/1/11

本学電気電子工学科3年生対象の研究室インターンシップの研究室見学会を以下の通り開催します。 ・10/3 16:30～17:15 ・10/5 16:30～17:15 各回の定員は6名程度とします。参加希望者はsuda@nuee.nagoya-u.ac.jp宛に知らせて(予約して)ください。上記の時間帯には都合がつかないけれど是非見学したいという人は相談してください。10/11~12のどこかで都合をつけましょう。 集合場所はC-TECs 6Fエレベーターホールです。