須田研配属希望者へ

須田研への配属希望を出した学生のみなさんへ 定員4名に対して5名の希望がでていますので、予告していた課題を出します。 須田研究室配属希望者へ 面談時に以下の課題レポートを持参してください。(A4サイズ)   課題1 半導体デバイスを作製する出発材料である「半導体単結晶ウェハ(wafer)」を見ると半導体材料毎に様子がかなり異なる。Siの場合は銀色で不透明であるが、GaPでは赤茶色の半透明であり、GaNでは無色透明となっている。このことをバンドギャップにより説明せよ。(3年生前期の固体電子工学の範囲の知識で答えられる。)   キーワード:バンドギャップ、価電子帯、伝導帯、光吸収/光学遷移/基礎吸収、フォトン(光子)、波長と光子エネルギーの関係、色と波長の関係、Si、GaP、GaNのバンドギャップエネルギーはインターネットで簡単に調べられます。   課題2 CMO …

2019年秋応用物理学会

北海道大学にて2019/9/18~9/21の日程で開催される第80回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [18p-N302-7] ショットキー接合のC–V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討 〇(M1)六野 祥平1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [18p-N302-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [18p-N302-4 …

2019年窒化物半導体国際会議

米国ワシントン州にて2019/7/7-12に開催された窒化物半導体国際会議(International Conference on Nitiride Semiconductors, ICNS-13)において当研究室から以下の発表が行われました。 EP01.06 Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers Satomu Furuta1, Masahiro Horita1, 2, Nariaki Tanaka3, Tohru Oka3 and Jun Suda1, 2; 1Nagoya University, Japan; 2Institute of Materials and Systems for Sustainability, Jap …

2019年窒化物半導体国際会議にて基調講演

米国ワシントン州にて2019/7/7-12に開催された窒化物半導体国際会議(International Conference on Nitiride Semiconductors, ICNS-13)において須田教授がノーベル賞受賞者のUCSBの中村修二先生に続いて基調講演を行いました。 SESSION PL01: Plenary Session I Session Chairs: Stacia Keller and Christian Wetzel Monday Morning, July 8, 2019 8:45 AM Welcome / Opening Ceremony by W. Alan Doolittle, Georgia Institute of Technology 9:00 AM *PL01.01 Developments of Nonpolar/Semipolar Edg …

2019年春応用物理学会

東京工業大学大岡山キャンパスにて2019/3/9~3/12の日程で開催される第66回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [11a-M121-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動 〇遠藤 彗1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研) [11a-M121-5] ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、上杉 勉3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)  [11p-PB3-8] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による特性変化の回復過程 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [9a-M12 …

2018年秋応用物理学会

名古屋国際会議場にて2018/9/18~9/21の日程で開催される第79回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [20p-CE-9] GaN系パワーデバイスの最近の進展と今後の展開 須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [20a-331-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化 釣本 浩貴1、堀田 昌宏2、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研) [20a-141-6] 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価 伊藤 滉二1、小 …

2018年春応用物理学会

早稲田大学西早稲田キャンパスにて2018/3/17~3/20の日程で開催される第65回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [19a-C302-2] ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価 〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大院工) [19a-C302-3] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップ 〇(B)青島 慶人1、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳2,3,4 (1.名大工、2.京大院工、3.名大未来研、4.名大院工) [20p-D103-4] SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価 〇伊藤 滉二1、立木 馨大1、小林 拓真1、堀 …

2017年秋応用物理学会

2017年秋季応用物理学会のシンポジウム「窒化物半導体特異構造の科学~先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用~」で 「GaN縦型パワーデバイスにおける点欠陥制御の重要性」 須田 淳1,2,3, 堀田 昌宏3 (1.名大院工、2.名大未来材シス研、3.京大院工) の招待講演を行いました。