GaNの基礎物性評価

GaNの基礎物性はまだ十分に解明されていません。特にパワー半導体応用を考えると高電界物性が重要となります。これまで我々は、独自の評価方法を開発することで、GaNのインパクトイオン化(衝突電離)係数の評価に成功しています。継続して評価を進めるとともに、結晶方位依存性などについても解明を進める予定です。

イオン注入によるGaNの局所ドーピング技術の開発

GaNの特性を最大限引き出すデバイスを実現するためには、自由自在に任意の位置にドーピングを行う技術を開発する必要があります。その手法としてイオン注入とその後の活性化アニール(焼きなまし、結晶に熱を加えて原子の運動を盛んにしてイオン注入で乱された結晶性を回復する)がありますが、GaNにおいては高温のアニールが熱分解のために困難であることや、欠陥のクラスタリングなどが活性化を阻んでいます。名古屋大学とポーランドUNIPRESSの共同研究で開発された超高圧アニールにより高い活性化を目指しています。また、アニール中の不純物や欠陥の挙動についても詳しく調べています。

GaN縦型パワーMOSFETの開発

GaNの点欠陥の基礎解明

GaNデバイスの放射線耐性

GaN系高電子移動度トランジスタのマイクロ波電力伝送応用

GaN縦型パワーデバイスの信頼性の基礎