早稲田大学西早稲田キャンパスにて2018/3/17～3/20の日程で開催される第65回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [19a-C302-2] ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価
    〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大院工)
  2. [19a-C302-3] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップ
    〇(B)青島 慶人1、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳2,3,4 (1.名大工、2.京大院工、3.名大未来研、4.名大院工)
  3. [20p-D103-4] SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価
    〇伊藤 滉二1、立木 馨大1、小林 拓真1、堀田 昌宏1、須田 淳1、木本 恒暢1 (1.京大工)
  4. [18a-C302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Franz-Keldysh効果によるサブバンドギャップ光吸収を利用したGaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の測定〇前田 拓也1、成田 哲生2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)
  5. [17p-P12-14] n型GaNにおけるICPエッチング誘起欠陥のDLTS評価
    〇大森 雅登1、山田 真嗣1,2、櫻井 秀樹1,2、長田 大和2、上村 隆一郎2、須田 淳1、加地 徹1 (1.名大未来研、2.(株)アルバック半電研)
  6. [18a-C302-11] 多段ICP-RIEによるn型GaNのエッチングダメージの制御
    〇山田 真嗣1,2、櫻井 秀樹1,2,3、大森 雅登1、須田 淳1,3、長田 大和2、上村 隆一郎2、及木 達矢4、橋詰 保1,4、加地 徹1 (1.名大　未来材料・システム研究所、2.(株)アルバック半電研、3.名大院工、4.北大量集セ)
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