ハイブリッド（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）で2022/9/20～9/23に開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [21a-M206-8] [講演奨励賞受賞記念講演] SiC (0001), (11-20), (1-100) MOSFETにおけるHall移動度のボディ層濃度依存性
    〇伊藤 滉二1、田中 一1,2、堀田 昌宏1,3、須田 淳1,3、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)
  2. [22p-B204-5] Mgチャネリング注入によるGaN縦型パワーデバイス JTE構造の最適ドーズ幅拡大効果
    〇北川 和輝1、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  3. [22p-B204-7] 超高圧アニールによるMgイオン注入p型GaNのルミネッセンス評価
    〇嶋 紘平1、櫻井 秀樹2,3,4、石橋 章司5、上殿 明良6、Bockowski Michal2,7、須田 淳2,3、加地 徹2、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大工、4.アルバック先進研、5.産総研CD-FMat、6.筑波大数物系、7.IHPP PAS)
  4. [22p-B204-10] 様々なドーピング密度を有するGaN p+-nおよびp-n+接合ダイオードの絶縁破壊電界
    〇前田 拓也1、成田 哲生2、山田 真嗣3,4、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,5、須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.アルバック先進研、5.名大院工)
  5. [23a-B204-2] i線ステッパーによる150 nm級Y型ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製
    〇安藤 裕二1,2、高橋 英匡1、牧迫 隆太郎1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  6. [23a-B204-4] Fe，CまたはMnを添加した半絶縁性GaN基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTの室温における電気的特性評価
    〇田中 大貴1、磯 憲司2,3、三浦 輝紀2,3、安藤 裕二1,3、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)
  7. [23p-B204-2] N極性面上低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価
    〇山田 真嗣1、白井 雅紀2、小林 宏樹2、上村 隆一郎2、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大、2.アルバック)
  8. [23p-B204-5] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップのSi濃度依存性
    〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  9. [23p-B204-6] 高エネルギー粒子線照射により窒化ガリウム中に形成される電子トラップの生成レートとNIELの相関
    〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  10. [23p-B204-7] 超低濃度Siイオン注入GaNにおけるトラップ密度深さ方向分布のアニール温度依存性
    〇井口 紘子1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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