2021/7撮影
須田 淳 (Jun Suda)
博士(工学) 京都大学
主な論文
略歴
- 1988/3 東京都私立城北高等学校卒業
- 1992/3 京都大学工学部電気工学科卒業
- 1994/3 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻修士課程修了
- 1997/3 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士課程修了
- 1997/4 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻助手
- 2002/10 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻講師
- 2008/4 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻准教授
- 2017/4 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻教授
- 2018/4 名古屋大学総長補佐(GaN研究戦略室長)
- 2018/4 名古屋大学エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C-TEFs)施設長
- 2020/4名古屋大学副総長補佐(GaN研究戦略室長)
- 1995/7 日本学術振興会特別研究員(DC2)
- 2000/6 米国ローレンスバークレイ国立研究所/カルフォルニア大学バークレイ校(Eicke R. Weberグループ)訪問研究員(京都大学ベンチャービジネスラボラトリー在外派遣)
- 2002/11 科学技術振興機構・PRESTO「ナノと物性」研究員
分科会・委員会委員
- 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 幹事長(2019/4~)
- 応用物理学会 結晶工学分科会 企画幹事
- 日本学術振興会 薄膜第131委員会 企画委員
- 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
- 電子情報通信学会電子デバイス(ED)研究専門委員会 委員
- 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 幹事
学会委員
- IEEE IEDM Sub-committee chair (Power Devices and Systems, 2019)
- SSDM2019実行委員長
- IWN2018プログラム委員会副委員長、Electron Device Area chair
- ICMOVPE-XIXプログラム委員会副委員長
- ISPSDプログラム委員 (Category 4: GaN and Nitride Base Compound Materials)
- SSDM プログラム委員 (Area 6: Compound Semiconductor Devices & Related Technologies)
- IEEE Device Research Conferenceプログラム委員
- Electronic Materials Conferenceプログラム委員 (Wide Bandgap Materials: Point Defects, Doping and Extended Defects)
- 電子材料シンポジウム(EMS)プログラム委員会委員長(~2019/10)