窒化物半導体国際ワークショップ発表

ドイツ・ベルリンで10/9~10/14に開催される窒化物半導体国際ワークショップ(International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2022)で須田研究室および共同研究先から以下の発表を予定しています。  Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN  Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type Ga …

須田教授が第16回(2022年度)応用物理学会フェロー表彰を受賞

須田 淳教授が第16回(2022年度)応用物理学会フェロー表彰を受賞しました。表彰タイトルは「ワイドギャップ半導体の結晶成長、物性、デバイスに関する研究」です。 『応用物理学会フェロー表彰制度』は,本会における継続的な活動を通じて,学術・研究における先駆的な業績,産業技術の開発・育成における重要な業績,教育・公益活動を通した人材育成や教育における業績などにより,応用物理学の発展に顕著な貢献をした者を表彰する制度で,フェローの称号が授与されます. 第16回(2022年度)応用物理学会フェロー表彰者 – 応用物理学会

配属課題2022

当研究室への配属希望を提出した人は、以下のレポートに取り組んでください。〆切は2/1(火)23:59とします。電子メールで須田宛(suda@nuee.nagoya-u.ac.jp)に提出してください。 課題について面接時に質問をする予定です。レポートは、みなさんが自分で半導体の勉強をして理解を深められるかどうかを見極めるために課しています。正解を求めているわけではありません。レポートに間違いがあっても面接時の議論で間違いに気が付き訂正できれば問題ありません。 課題1 pn接合の空乏層 室温(300 K)におけるSiのpn接合を考える。p型領域のアクセプタ密度は\(2 \times 10^{16}\)cm\(^{-3}\)、n型領域のドナー密度は\(1\times 10^{16}\)cm\(^{-3}\)とする。 Siの室温における真性キャリア密度は\(1 \times 10^{10}\)c …

研究室配属質問・相談

研究室配属について質問・相談のある人は遠慮なく須田(suda@nuee.nagoya-u.ac.jp)まで連絡してください。メール、オンライン会議、対面などフレキシブルに対応します。 研究室見学会参加しそびれてしまったが、どうしても研究室見てみたいというのもOKです。

研究室見学会(配属希望者向け)

密をさけるために3回に分けて実施します。 C-TECs(研究棟) 6Fエレベーターホールに集合してください。 1/13 17:30~18:30 1/17 17:30~18:30 1/18 17:30~18:30 (1/20 9:00~10:00) … 1/13,17,18であふれてしまった人がいる場合のみ開催 参加者は各回5~6名を目安とします。参加希望者は、第一希望、第二希望を記して suda@nuee.nagoya-u.ac.jp に連絡してください。先着順とします。すぐに返信します。24時間以上返信なければ再送してください。 参加する人は、以下のWeb記事を予め読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術 パワーエレクトロニクスによる電力エネルギーの効率的利用 総論 須田 淳 先進パワー半導体分科会・幹事長/名古屋大学 C-TECsは名大の研究所エリアの一番奥で …

研究室見学会(研究室インターンシップ希望者向け)

名古屋大学工学部電気電子工学科3年生後期の研究室インターンシップの説明、見学会を開催します。 10/8(金) 13:00~14:00 C-TECs 6Fエレベーターホール集合 参加希望者は須田宛(suda@nagoya-u.jp)に連絡してください。都合がつかない人には別途来週以降で面談日を設定します。   名古屋大学工学部電気電子工学科3年生後期の研究室インターンシップの説明、見学会を開催します。 10/19(火) 10:00~11:00 C-TECs 6Fエレベーターホール集合 参加希望者は須田宛(suda@nagoya-u.jp)に連絡してください。 見学会の内容は10/8に行ったものと同じです。