SSDM 2020

固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。 [D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment 〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))

ISPSD 2020

パワー半導体デバイスおよび集積回路に関する国際シンポジウム(ISPSD 2020, 2020/9/13-18, オンライン開催)のポスターセッションにおいて当研究室の櫻井氏が発表を行いまいた。 Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kazufumi Hirukawa, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, Jun Suda, Tetsu Kachi

2020年秋応用物理学会

オンラインにて2020/9/8~9/11程で開催される第81回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) [10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大) [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したM …

2020年春応用物理学会

オンラインにて2020/3/12~3/15の日程で開催される第67物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [12p-B401-15] GaN-HEMTのリーク電流におけるフィールドプレート膜応力の影響 〇安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [13a-B401-2] DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価 〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研) [14a-B401-1] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性 〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [15p-A201-7] リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面にお …

配属課題2020

須田研への配属希望を出した学生のみなさんへ 定員4名に対して5名の希望がでていますので、予告していた課題を出します。 須田研究室配属希望者へ 面談時に以下の課題レポートを持参してください。(A4サイズ)   課題1 半導体デバイスを作製する出発材料である「半導体単結晶ウェハ(wafer)」を見ると半導体材料毎に様子がかなり異なる。Siの場合は銀色で不透明であるが、GaPでは赤茶色の半透明であり、GaNでは無色透明となっている。このことをバンドギャップにより説明せよ。(3年生前期の固体電子工学の範囲の知識で答えられる。)   キーワード:バンドギャップ、価電子帯、伝導帯、光吸収/光学遷移/基礎吸収、フォトン(光子)、波長と光子エネルギーの関係、色と波長の関係、Si、GaP、GaNのバンドギャップエネルギーはインターネットで簡単に調べられます。   課題2 CMO …

2019年秋応用物理学会

北海道大学にて2019/9/18~9/21の日程で開催される第80回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [18p-N302-7] ショットキー接合のC–V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討 〇(M1)六野 祥平1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [18p-N302-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [18p-N302-4 …

2019年窒化物半導体国際会議

米国ワシントン州にて2019/7/7-12に開催された窒化物半導体国際会議(International Conference on Nitiride Semiconductors, ICNS-13)において当研究室から以下の発表が行われました。 EP01.06 Deep Level Traps Introduced in GaN Layers by High-Temperature Thermal Treatment with SiN Cap Layers Satomu Furuta1, Masahiro Horita1, 2, Nariaki Tanaka3, Tohru Oka3 and Jun Suda1, 2; 1Nagoya University, Japan; 2Institute of Materials and Systems for Sustainability, Jap …

2019年窒化物半導体国際会議にて基調講演

米国ワシントン州にて2019/7/7-12に開催された窒化物半導体国際会議(International Conference on Nitiride Semiconductors, ICNS-13)において須田教授がノーベル賞受賞者のUCSBの中村修二先生に続いて基調講演を行いました。 SESSION PL01: Plenary Session I Session Chairs: Stacia Keller and Christian Wetzel Monday Morning, July 8, 2019 8:45 AM Welcome / Opening Ceremony by W. Alan Doolittle, Georgia Institute of Technology 9:00 AM *PL01.01 Developments of Nonpolar/Semipolar Edg …