名古屋国際会議場にて2018/9/18～9/21の日程で開催される第79回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [20p-CE-9] GaN系パワーデバイスの最近の進展と今後の展開
    須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値
     堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研)
  3. [20a-331-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧およびゲート電流の変化
    釣本 浩貴1、堀田 昌宏2、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研)
  4. [20a-141-6] 高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価
    伊藤 滉二1、小林 拓真1、堀田 昌宏1、須田 淳1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
  5. [21a-141-9] 4H-SiC p-n接合ダイオードにおける
    Franz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収
    前田 拓也1、遅 熙倫1、堀田 昌宏1、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)
  6. [20a-331-9] ガンマ線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深さ1 eV以上の電子トラップ
     (M1)青島 慶人1、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研)
  7. [20a-331-11] GaN自立基板上Ni/n-GaN SBDにおける障壁高さ温度特性のドナー密度依存性
    (M1)村瀬 亮介1、前田 拓也2、鐘ヶ江 一孝2、堀田 昌宏2、須田 淳1,2,3     (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)
  8. [19p-CE-12] Mg/Nイオン共注入と超高圧N2活性化アニールを用いたGaNへのp型ドーピング
    櫻井 秀樹1,2,3、山田 真嗣1,2,3、大森 雅登1、古川 幸弘3、鈴木 英夫3、Boćkowski Michał1,4、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大 未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.(株)アルバック 半電研、4.UNIPRESS)
  9. [20a-331-7] n 型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価
    鐘ヶ江 一孝1、成田 哲生2、冨田 一義2、加地 徹3、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)
  10. [20a-331-8] マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布
    (M1)坂尾 佳祐1、堀田 昌宏2、須田 淳1,2,3、朴 冠錫4、山岡 優哉4、矢野 良樹4、松本 功4 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研、4.大陽日酸)

     

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