オンラインにて2020/9/8～9/11程で開催される第81回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性
    〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討
    〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)
  3. [10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性
    〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  4. [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチングを施したGaN表面に作製したMOSキャパシタの特性評価
    〇(M2)NAM KyungPil1、石田 崇1,2、山田 真嗣1,2,3、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院、2.名大 未来材料、3.アルバック半電研)
  5. [10a-Z02-8] GaN:C 半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの共振特性
    〇山田 剛大1、安藤 悠人1、渡邉 浩崇2、古澤 優太2、出来 真斗1,5、田中 敦之2,3、新田 州吾2、本田 善央2、須田 淳1,2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)
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