ドイツ・ベルリンで10/9~10/14に開催される窒化物半導体国際ワークショップ(International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2022)で須田研究室および共同研究先から以下の発表を予定しています。 Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type Ga …