日: 2022年9月30日

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    窒化物半導体国際ワークショップ発表

    ドイツ・ベルリンで10/9～10/14に開催される窒化物半導体国際ワークショップ(International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2022)で須田研究室および共同研究先から以下の発表を予定しています。  Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN  Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type Ga …