応用物理学会先進パワー半導体分科会・第7回講演会のチュートリアル（2020/12/8, オンライン開催）において、須田教授が半導体の絶縁破壊現象の基礎について講演(55分間)を行いました。

2020年チュートリアルプログラム

  1. 開会の挨拶　須田　淳　分科会幹事長
  2. 半導体の絶縁破壊現象の基礎
    Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors　須田　淳　名古屋大学
  3. 信頼度解析の基礎
    Basics of Reliability Theory　大村　一郎　九州工業大学
  4. Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム
    Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of Si IGBTs and SiC MOSFETs　岩室　憲幸　筑波大学
  5. ワイドバンドギャップ半導体MOSデバイスにおけるゲート酸化膜破壊
    Gate oxide breakdown in wide bandgap semiconductor MOS devices　細井　卓治　大阪大学
  6. 高信頼高密度ハーフブリッジSiCパワーモジュール
    Highly reliable and dense half-bridge SiC power module　谷本　智　大阪大学・”福島SiC応用技研株式会社（FSiC）
  7. 半導体デバイスの放射線劣化・破壊－地上から宇宙まで－
    Radiation degradation & destruction of semiconductor devices　- From terrestrial to space applications -　大島　武　量子科学技術研究開発機構
  8. 閉会の辞　鎌田　功穂　電力中央研究所
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