佐橋 潤也くん（B4）が電気学会東海支部長賞を受賞しました。名古屋大学において電気工学を優秀な成績で修められたことを表彰されました。
投稿者: ichikawa
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2026年春応用物理学会
ハイブリッド（東京科学大学 大岡山キャンパス＋オンライン）で2026/3/15~3/18に開催される第73回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
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本研究室の藤本くんがM1中間発表会 優秀賞を受賞
藤本 拓也くん (M1)が2025年度 修士論文中間発表会 優秀賞を受賞しました。発表タイトルは「二層キャップ構造を適用したゲート先行AlGaN/GaN HEMTの作製プロセス検討」です。
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研究室旅行に行ってきました
昨年に引き続き第二回研究室旅行を開催しました。 一泊二日で飛騨高山・下呂を巡り、研究室メンバーで楽しい時間を過ごしました。
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ICNS-15
スウェーデンマルメにて7/6-11で開催されたICNS-15(15th International Conference on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 ED-Thu-B6(Invited) GaN-on-GaN Devices for Next Generation Electronics Jun SudaNagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. ED-Tue-P14Effects of the high pressure annealing on threshold voltages in GaN-MOSFETsTetsu Kachi1, Takumi Hirata1, Kenji Ito2, Tetsuo Narita3, Jun Suda11Nagoya Universit …
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ISPSD
熊本城ホールで2025/6/1~6/5に開催されたISPSD（The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)において、当研究室から以下の発表が行われました。 Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky DiodesKazuki Kitagawa1, Tsutomu Uesugi2, Masahiro Horita1, Tetsu Kachi2, Jun Suda1;1 Nagoya Univ., Nagoya, Aichi, Japan. 2 Nagoya Univ. IMaSS, N …