投稿者: ichikawa

  • ICNS-15

    スウェーデンマルメにて7/6-11で開催されたICNS-15(15th International Conference on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 ED-Thu-B6(Invited) GaN-on-GaN Devices for Next Generation Electronics Jun SudaNagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. ED-Tue-P14Effects of the high pressure annealing on threshold voltages in GaN-MOSFETsTetsu Kachi1, Takumi Hirata1, Kenji Ito2, Tetsuo Narita3, Jun Suda11Nagoya Universit …

  • ISPSD

    熊本城ホールで2025/6/1~6/5に開催されたISPSD（The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)において、当研究室から以下の発表が行われました。 Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky DiodesKazuki Kitagawa1, Tsutomu Uesugi2, Masahiro Horita1, Tetsu Kachi2, Jun Suda1;1 Nagoya Univ., Nagoya, Aichi, Japan. 2 Nagoya Univ. IMaSS, N …