投稿者: suda

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    研究室配属質問・相談

    研究室配属について質問・相談のある人は遠慮なく須田(suda@nuee.nagoya-u.ac.jp)まで連絡してください。メール、オンライン会議、対面などフレキシブルに対応します。 研究室見学会参加しそびれてしまったが、どうしても研究室見てみたいというのもOKです。

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    研究室見学会(配属希望者向け)

    密をさけるために3回に分けて実施します。 C-TECs(研究棟) 6Fエレベーターホールに集合してください。 1/13 17:30~18:30 1/17 17:30~18:30 1/18 17:30~18:30 (1/20 9:00~10:00) … 1/13,17,18であふれてしまった人がいる場合のみ開催 参加者は各回5~6名を目安とします。参加希望者は、第一希望、第二希望を記して suda@nuee.nagoya-u.ac.jp に連絡してください。先着順とします。すぐに返信します。24時間以上返信なければ再送してください。 参加する人は、以下のWeb記事を予め読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術　パワーエレクトロニクスによる電力エネルギーの効率的利用　総論　須田 淳　先進パワー半導体分科会・幹事長／名古屋大学 C-TECsは名大の研究所エリアの一番奥で …

  • 研究室見学会(研究室インターンシップ希望者向け)

    名古屋大学工学部電気電子工学科3年生後期の研究室インターンシップの説明、見学会を開催します。 10/8(金) 13:00～14:00 C-TECs 6Fエレベーターホール集合 参加希望者は須田宛(suda@nagoya-u.jp)に連絡してください。都合がつかない人には別途来週以降で面談日を設定します。   名古屋大学工学部電気電子工学科3年生後期の研究室インターンシップの説明、見学会を開催します。 10/19(火) 10:00～11:00 C-TECs 6Fエレベーターホール集合 参加希望者は須田宛(suda@nagoya-u.jp)に連絡してください。 見学会の内容は10/8に行ったものと同じです。

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    配属課題2021

    課題１　エネルギーバンド構造 固体(結晶)における金属、半導体、絶縁体の違いをエネルギーバンド構造を用いて説明せよ。次の点に留意して説明すること。 ①なぜ結晶中ではエネルギーバンド構造が生じるのか、孤立原子の離散的エネルギー準位を出発として説明してみよ。②金属(Al)、半導体(Si)、絶縁体(SiO2=石英)の極低温(T=0K)の状態、室温(T=300K)の状態における電気伝導について説明せよ。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにほぼ答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。 さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題２　トランジスタの歴史 世界で最初のトランジスタ「点接触型トランジスタ」は、狙って「発明」されたものではなく、半導体の表面状態を研究する過程での「発見」であった。それをわずか1年で実用的なトランジスタ「 …

  • 先進パワー半導体分科会講演会チュートリアル

    応用物理学会先進パワー半導体分科会・第7回講演会のチュートリアル（2020/12/8, オンライン開催）において、須田教授が半導体の絶縁破壊現象の基礎について講演(55分間)を行いました。 2020年チュートリアルプログラム 開会の挨拶　須田　淳　分科会幹事長 半導体の絶縁破壊現象の基礎 Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors　須田　淳　名古屋大学 信頼度解析の基礎 Basics of Reliability Theory　大村　一郎　九州工業大学 Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of Si IGBTs and SiC MOSFETs　岩室　憲幸　筑波大学 ワイドバンドギャップ半導体MO …

  • 研究室インターンシップ見学

    研究室インターンシップで須田研を検討中の電気電子情報工学科の3年生のみなさんへ 簡単な研究室見学会を開催します。10/14(水)15:00～16:00。15:00にC-TECs 6Fエレベータホールに集合してください。

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    SSDM 2020

    固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。 [D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment 〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))

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    ISPSD 2020

    パワー半導体デバイスおよび集積回路に関する国際シンポジウム(ISPSD 2020, 2020/9/13-18, オンライン開催)のポスターセッションにおいて当研究室の櫻井氏が発表を行いまいた。 Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kazufumi Hirukawa, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, Jun …

  • 2020年秋応用物理学会

    オンラインにて2020/9/8～9/11程で開催される第81回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) [10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大) [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチング …