投稿者: suda

• 配属課題2021

  1 1月 2021suda

  課題１　エネルギーバンド構造 固体(結晶)における金属、半導体、絶縁体の違いをエネルギーバンド構造を用いて説明せよ。次の点に留意して説明すること。 ①なぜ結晶中ではエネルギーバンド構造が生じるのか、孤立原子の離散的エネルギー準位を出発として説明してみよ。②金属(Al)、半導体(Si)、絶縁体(SiO2=石英)の極低温(T=0K)の状態、室温(T=300K)の状態における電気伝導について説明せよ。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにほぼ答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。 さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題２　トランジスタの歴史 世界で最初のトランジスタ「点接触型トランジスタ」は、狙って「発明」されたものではなく、半導体の表面状態を研究する過程での「発見」であった。それをわずか1年で実用的なトランジスタ「 …

• 先進パワー半導体分科会講演会チュートリアル

  8 12月 2020suda

  応用物理学会先進パワー半導体分科会・第7回講演会のチュートリアル（2020/12/8, オンライン開催）において、須田教授が半導体の絶縁破壊現象の基礎について講演(55分間)を行いました。 2020年チュートリアルプログラム 開会の挨拶　須田　淳　分科会幹事長 半導体の絶縁破壊現象の基礎 Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors　須田　淳　名古屋大学 信頼度解析の基礎 Basics of Reliability Theory　大村　一郎　九州工業大学 Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of Si IGBTs and SiC MOSFETs　岩室　憲幸　筑波大学 ワイドバンドギャップ半導体MO …

• 研究室インターンシップ見学

  10 10月 2020suda

  研究室インターンシップで須田研を検討中の電気電子情報工学科の3年生のみなさんへ 簡単な研究室見学会を開催します。10/14(水)15:00～16:00。15:00にC-TECs 6Fエレベータホールに集合してください。

• SSDM 2020

  28 9月 2020suda

  固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。 [D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment 〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))

• ISPSD 2020

  13 9月 2020suda

  パワー半導体デバイスおよび集積回路に関する国際シンポジウム(ISPSD 2020, 2020/9/13-18, オンライン開催)のポスターセッションにおいて当研究室の櫻井氏が発表を行いまいた。 Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kazufumi Hirukawa, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, Jun …

• 2020年秋応用物理学会

  8 9月 2020suda

  オンラインにて2020/9/8～9/11程で開催される第81回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [10p-Z04-4] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電気的特性のバッファ層構造依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [11a-Z04-2] MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討 〇堀田 昌宏1,2、成田 哲生3、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研) [10a-Z04-3] GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、山口 椋平3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大) [10p-Z04-17] 様々な条件でドライエッチング …

• 2020年窒化物半導体国際国際ワークショップ-中止

  15 8月 2020suda

  窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2020, ドイツ・ベルリン2020/8/23-28)は開催中止となりました。当研究室から多数の投稿をしていたのですが残念です。

• 2020年春応用物理学会

  15 3月 2020suda

  オンラインにて2020/3/12～3/15の日程で開催される第67物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [12p-B401-15] GaN-HEMTのリーク電流におけるフィールドプレート膜応力の影響 〇安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [13a-B401-2] DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価 〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、橋詰 保3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研) [14a-B401-1] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性 〇遠藤 彗1、鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [15p-A201-7] リン処理を施したSiC …

• 配属課題2020

  28 1月 2020suda

  須田研への配属希望を出した学生のみなさんへ 定員4名に対して5名の希望がでていますので、予告していた課題を出します。 須田研究室配属希望者へ 面談時に以下の課題レポートを持参してください。(A4サイズ)   課題１ 半導体デバイスを作製する出発材料である「半導体単結晶ウェハ(wafer)」を見ると半導体材料毎に様子がかなり異なる。Siの場合は銀色で不透明であるが、GaPでは赤茶色の半透明であり、GaNでは無色透明となっている。このことをバンドギャップにより説明せよ。(3年生前期の固体電子工学の範囲の知識で答えられる。)   キーワード：バンドギャップ、価電子帯、伝導帯、光吸収/光学遷移/基礎吸収、フォトン(光子)、波長と光子エネルギーの関係、色と波長の関係、Si、GaP、GaNのバンドギャップエネルギーはインターネットで簡単に調べられます。   課題２ CMO …

• 2019年秋応用物理学会

  27 9月 2019suda

  北海道大学にて2019/9/18～9/21の日程で開催される第80回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。 [18p-N302-7] ショットキー接合のC–V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討 〇(M1)六野 祥平1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [20a-331-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 堀田 昌宏1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大院工、3.名大未来研) [18p-N302-10] p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性 〇釣本 浩貴1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研) [18p-N302-4 …