米国ハワイ州にて2024/11/3-8に開催されたIWN 2024 (International Workshop on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 653(INVITED) Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaNJun Suda, Masahiro Horita;Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. 270Effects of Subsequent Annealing on Etching Resistance and Electrical Properties of n-type GaN Films Deposited by Reactive Sputteri …
