投稿者: sumida

• 本研究室の楠木さんがM1中間発表会 優秀賞を受賞

  4 2月 2025sumida

  楠木菜水さん（M1）が2024年度 修士論文中間発表会 優秀賞を受賞しました。発表タイトルは 「GaN縦型トレンチMOSFETに用いられるnpn構造の電気特性におけるヒステリシスの起源」です。

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  第二回須田研OBOG会を開催しました

  25 11月 2024sumida

  須田研の全ての代の学生が集まり、親交を深めました。

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  IWN 2024

  11 11月 2024sumida

  米国ハワイ州にて2024/11/3-8に開催されたIWN 2024 (International Workshop on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 653(INVITED) Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaNJun Suda, Masahiro Horita;Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. 270Effects of Subsequent Annealing on Etching Resistance and Electrical Properties of n-type GaN Films Deposited by Reactive Sputteri …

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  研究室旅行に行ってきました

  2 10月 2024sumida

  念願の第一回研究室旅行を開催できました。一泊二日で伊勢・志摩を巡り、研究室メンバーで楽しい時間を過ごしました。

• 本研究室の角田くんと北川くんが第71回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞

  2 7月 2024sumida

  角田健輔くん（D2）と北川和輝くん（D1）が第71回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。発表タイトルは、「Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果」（角田くん）および「Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード」（北川くん）です。

• 2024年春応用物理学会

  20 3月 2024sumida

  ハイブリッド（東京都市大学 世田谷キャンパス＋オンライン）で2024/3/22~3/25に開催される第71回応用部物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

• 本研究室の林くんと平田くんがM1中間発表会 優秀賞を受賞

  29 2月 2024sumida

  林慶祐くん（M1）と平田拓巳くん（M1）が2023年度 修士論文中間発表会 優秀賞を受賞しました。発表タイトルは、「酸素イオン注入したn型GaNにおける、バイアス印可に伴う実行ドナー密度変動の期限に対する考察」（林くん）および「長時間超高圧アニール（UHPA）によるAlSiO/n-GaN MOS界面特性の改善」 （平田くん）です。