情報デバイス工学講座 先端デバイスグループ
スウェーデンマルメにて7/6-11で開催されたICNS-15(15th International Conference on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 ED-Thu-B6(Invited) GaN-on-GaN Devices for Next Generation Electronics Jun SudaNagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. ED-Tue-P14Effects of the high pressure annealing on threshold voltages in GaN-MOSFETsTetsu Kachi1, Takumi Hirata1, Kenji Ito2, Tetsuo Narita3, Jun Suda11Nagoya Universit …
熊本城ホールで2025/6/1~6/5に開催されたISPSD（The 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)において、当研究室から以下の発表が行われました。 Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky DiodesKazuki Kitagawa1, Tsutomu Uesugi2, Masahiro Horita1, Tetsu Kachi2, Jun Suda1;1 Nagoya Univ., Nagoya, Aichi, Japan. 2 Nagoya Univ. IMaSS, N …
2024年度須田研追いコンを開催しました。卒業生の新天地でのご活躍を祈念いたします。
市川雄基（M2）が2024年度修士論文発表会においてIEEE名古屋支部 優秀学生賞を受賞しました。発表タイトルは「縦型GaNパワーMOSFET実用化に向けたしきい値電圧変動メカニズム解明」です。
楠木菜水さん（M1）が2024年度 修士論文中間発表会 優秀賞を受賞しました。発表タイトルは 「GaN縦型トレンチMOSFETに用いられるnpn構造の電気特性におけるヒステリシスの起源」です。
須田研究室に配属希望を出す皆さんは以下の課題を提出していただきます。 課題１ 半導体結晶の見た目 半導体ウエハ(円盤状に加工された半導体の単結晶)の見た目は材料によりまちまちである。Siは銀色の鏡のようであり、GaPは半透明のオレンジ色、GaNは無色透明である。 このようになる理由を説明せよ。説明の相手は、電情新B3(=固体電子工学を受講する前のみなさん)を想定せよ。 ヒント：それぞれの材料のバンドギャップはネットで調べればわかります。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにほぼ答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題２ MOSFETの構造と動作原理 MOSFETは、ゲート端子の電位(正確にはゲート-ソース間電圧Vgs)により、ソース端子とドレイン端子の電気伝導を制御できる、あ …
C-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 第1回: 2025/1/10(金) 17:15集合、説明会17:20～18:20 (17:00に一度迎えに行きます)第2回: 2025/1/15(水) 17:15集合、説明会17:20～18:20 (17:00に一度迎えに行きます) 参加希望者は suda@nagoya-u.jp に連絡してください。各5~10名程度を予定しています。先着順とします。都合がつかない人は個別に対応します。配属を考えている人は参加するようにしてください。 見学相談会の参加前に以下のWeb記事を読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術 https://www.jsap.or.jp/columns/gx/e2-4窒化ガリウム横型パワーデバイス https://www.jsap.or.jp/columns/gx/e2-6-2 須田
当研究室の配属を希望する学生のみなさんへ 当研究室は半導体電子デバイスの研究室です。半導体や電子デバイスについての基礎知識が重要となります。「固体電子工学及び演習」では半導体の初歩の初歩しか学ぶことができません。3年生秋学期配当の以下の科目を履修しておくことを推奨します。 研究室配属は例年通り課題問題＋面接で行います。
電気電子情報工学科3年生で当研究室での研究室インターンシップを検討している学生のみなさんへ 研究室見学会を以下の通り実施します。 C-TECs棟 6F エレベーターホールに集合してください。C-TECsは地下鉄名古屋大学駅から徒歩15分程度かかります。場所はこちらの地図を参照してください。参加希望の人はsuda@nagoya-u.jpまで知らせてください。
角田健輔くん（D2）と北川和輝くん（D1）が第71回（2024年春季）応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。発表タイトルは、「Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果」（角田くん）および「Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード」（北川くん）です。