10/10の見学会に都合のつかない方がいるようですので、10/11 13:30~14:15で見学会を開催します。 C-TECs棟 6Fエレベーターホールに13:30に集合してください。 http://www.gan-conso.jp/contact/images/MAP_C-TECs.pdf 10/10に参加する人は参加不要です。(同じことを説明するだけですので。) 参加希望の人はsuda@nagoya-u.jpまで知らせてください。
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研究室インターンシップ見学会1
電気電子情報工学科3年生で当研究室での研究室インターンシップを検討している学生のみなさんへ 研究室の見学会を10/10 14:50-15:30で行います。 私は10/10は13:00-14:30までIB071で講義をしています。大学院科目の「半導体パワーデバイス工学特論」ですが、当研究室の研究内容と非常に関連しています。10/10の回(第2回 pn接合の絶縁破壊)は学部(固体電子工学及び演習)の知識で十分に理解できるので、予定が空いている人は授業も聴講してもらえたらと思います。講義に参加する人は14:35に講義室を出発して一緒にC-TECsまで歩いて行きましょう。 見学のみ参加の人は14:50にC-TECs棟 6F エレベーターホールで待っていてください。 http://www.gan-conso.jp/contact/images/MAP_C-TECs.pdf 参加希望の人はsuda@n …
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研究室配属課題
課題１ 半導体結晶の見た目 半導体ウエハ(円盤状に加工された半導体の単結晶)の見た目は材料によりまちまちである。Siは銀色の鏡のようであり、GaPは半透明のオレンジ色、GaNは無色透明である。 このようになる理由を固体電子工学を受講前のみなさんのレベルを思い出して、説明せよ。（おそらく、皆さんは波長と色の関係さえ知らなかったですよね。）それぞれの材料のバンドギャップはネットで調べよ。 須田の固体電子工学の講義動画（ここにほぼ答えがあります）とキッテルの固体物理学の教科書の範囲で答えてもらえばOKです。さらに詳しく理解したい人は須田の名古屋半導体塾の講義動画も見てください。 課題２ MOSFET MOSFETは、ゲート端子の電位(実際にはゲート-ソース間電圧Vgs)により、ソース端子とドレイン端子の導通を制御できる、ある種の電子的なスイッチである。また、MOSFETにはnチャネル型とpチャネ …
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研究室見学会（配属希望者向け）
開始5分前にC-TECs(研究棟) 6Fエレベーター前に集合してください。 2023/1/19(木) 17:30~18:30 2023/1/23(月) 13:00~14:00 <–追加しました 2023/1/23(月) 17:00~18:00 コロナ対策として参加者は各回10名以内を目安とします。参加希望者は、第一希望、第二希望を記して suda@nagoya-u.jp に連絡してください。先着順とします。(予約なしでも人数範囲内なら受け入れます。) 参加する人は、以下のWeb記事を予め読んでおいてください。 GXに貢献するパワー半導体技術 パワーエレクトロニクスによる電力エネルギーの効率的利用 総論 須田 淳 先進パワー半導体分科会・幹事長／名古屋大学
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IEDM2022招待講演
須田教授が2022年12月に米国サンフランシスコで開催されたIEEE電子デバイス国際会議(IEDM)のPower Devices and Systems分野で招待講演を行いました。 “Current Status and Future Prospects of GaN-on-GaN Vertical Power Devices” 日経XTECHで報告内容が紹介されています。「新パワー半導体「縦型GaN」、シリコン並みコストが視野」2023/1/11
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研究室見学会(研究室インターンシップ希望者向け)
本学電気電子工学科3年生対象の研究室インターンシップの研究室見学会を以下の通り開催します。 ・10/3 16:30～17:15 ・10/5 16:30～17:15 各回の定員は6名程度とします。参加希望者はsuda@nuee.nagoya-u.ac.jp宛に知らせて(予約して)ください。上記の時間帯には都合がつかないけれど是非見学したいという人は相談してください。10/11~12のどこかで都合をつけましょう。 集合場所はC-TECs 6Fエレベーターホールです。
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窒化物半導体国際ワークショップ発表
ドイツ・ベルリンで10/9～10/14に開催される窒化物半導体国際ワークショップ(International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2022)で須田研究室および共同研究先から以下の発表を予定しています。 Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type Ga …
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須田教授が第16回(2022年度)応用物理学会フェロー表彰を受賞
須田 淳教授が第16回(2022年度)応用物理学会フェロー表彰を受賞しました。表彰タイトルは「ワイドギャップ半導体の結晶成長、物性、デバイスに関する研究」です。 『応用物理学会フェロー表彰制度』は，本会における継続的な活動を通じて，学術・研究における先駆的な業績，産業技術の開発・育成における重要な業績，教育・公益活動を通した人材育成や教育における業績などにより，応用物理学の発展に顕著な貢献をした者を表彰する制度で，フェローの称号が授与されます． 第16回(2022年度)応用物理学会フェロー表彰者 – 応用物理学会
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青島君がRADECS Student Grants(best student abstract賞)を受賞
青島慶人君(D3)がEuropian Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS)のStudent Grantsを受賞しました。これは最も優れた学生の投稿(best student abstracts)に対して与えられるもので、今年度の受賞者は6名です。RADECSのabstractはIEEEフォーマットの2段組み4ページです。 RADECS Student Grants 2022
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配属課題2022
当研究室への配属希望を提出した人は、以下のレポートに取り組んでください。〆切は2/1（火）23:59とします。電子メールで須田宛(suda@nuee.nagoya-u.ac.jp)に提出してください。 課題について面接時に質問をする予定です。レポートは、みなさんが自分で半導体の勉強をして理解を深められるかどうかを見極めるために課しています。正解を求めているわけではありません。レポートに間違いがあっても面接時の議論で間違いに気が付き訂正できれば問題ありません。 課題１ pn接合の空乏層 室温(300 K)におけるSiのpn接合を考える。p型領域のアクセプタ密度は\(2 \times 10^{16}\)cm\(^{-3}\)、n型領域のドナー密度は\(1\times 10^{16}\)cm\(^{-3}\)とする。 Siの室温における真性キャリア密度は\(1 \times 10^{10}\)c …