応用物理学会先進パワー半導体分科会・第7回講演会のチュートリアル（2020/12/8, オンライン開催）において、須田教授が半導体の絶縁破壊現象の基礎について講演(55分間)を行いました。 2020年チュートリアルプログラム 開会の挨拶 須田 淳 分科会幹事長 半導体の絶縁破壊現象の基礎 Fundamentals of Breakdown Phenomena in Semiconductors 須田 淳 名古屋大学 信頼度解析の基礎 Basics of Reliability Theory 大村 一郎 九州工業大学 Si-IGBTならびにSiC-MOSFET負荷短絡時の破壊メカニズム Investigation of Short-circuit Failure Mechanisms of Si IGBTs and SiC MOSFETs 岩室 憲幸 筑波大学 ワイドバンドギャップ半導体MO …
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研究室インターンシップ見学
研究室インターンシップで須田研を検討中の電気電子情報工学科の3年生のみなさんへ 簡単な研究室見学会を開催します。10/14(水)15:00～16:00。15:00にC-TECs 6Fエレベータホールに集合してください。
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2020年窒化物半導体国際国際ワークショップ-中止
窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2020, ドイツ・ベルリン2020/8/23-28)は開催中止となりました。当研究室から多数の投稿をしていたのですが残念です。
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配属課題2020
須田研への配属希望を出した学生のみなさんへ 定員4名に対して5名の希望がでていますので、予告していた課題を出します。 須田研究室配属希望者へ 面談時に以下の課題レポートを持参してください。(A4サイズ) 課題１ 半導体デバイスを作製する出発材料である「半導体単結晶ウェハ(wafer)」を見ると半導体材料毎に様子がかなり異なる。Siの場合は銀色で不透明であるが、GaPでは赤茶色の半透明であり、GaNでは無色透明となっている。このことをバンドギャップにより説明せよ。(3年生前期の固体電子工学の範囲の知識で答えられる。) キーワード：バンドギャップ、価電子帯、伝導帯、光吸収/光学遷移/基礎吸収、フォトン(光子)、波長と光子エネルギーの関係、色と波長の関係、Si、GaP、GaNのバンドギャップエネルギーはインターネットで簡単に調べられます。 課題２ CMO …