オンラインにて2021/3/16～3/19に開催される第68回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [16a-Z16-8] GaN縦型トレンチMOSFETの界面特性に対する窒素プラズマ処理の効果
    〇(M2)NAM KyungPil1、石田 崇1,2、Matys Maciej2、上杉 勉2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来材料システム研究所)
  2. [18a-Z15-1] Mgイオン注入GaNの超高圧アニールによるMgとHの熱拡散
    〇櫻井 秀樹1,2,3、成田 哲生4、晝川 十史2、角田 健輔2、山田 真嗣1,2,3、片岡 恵太4、堀田 昌宏1,2、五十嵐 信行1,2、Bockowski Michal1,5、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大IMaSS、2.名大工、3.アルバック先進研、4.豊田中研、5.UNIPRESS)
  3. [18a-Z15-8] DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析
    〇青島 慶人1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  4. [18a-Z15-10] 酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ
    〇(M1)柴田 優一1、堀田 昌宏1,2、田中 亮3、高島 信也3、上野 勝典3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)
  5. [19a-Z25-1] GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性
    〇前田 拓也1、成田 哲生2、山田 真嗣3,4、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,5、須田 淳1,3,5 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大未来材料・システム研究所、4.アルバック先進研、5.名大院工)
  6. [19a-Z25-3] AlGaN/GaN ホール効果測定素子の電流-電圧特性の基板依存性
    〇田中 大貴1、分島 彰男3、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  7. [19a-Z25-8] ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
    〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、生島 百恵3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  8. [19p-Z25-2] i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製
    〇安藤 裕二1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  9. [18p-Z05-6] リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性
    〇(D)伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)
  10. [16p-Z07-8] Mgイオン注入p型GaNにおける超高圧アニール温度の低減化に向けた検討
    〇(M1)晝川 十史1、櫻井 秀樹1,2,3、藤倉 序章4、堀田 昌宏1,2、Bockowski Michal2,5、乙木 洋平4、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大工、2.IMaSS、3.(株)アルバック半電研、4.(株)サイオクス、5.UNIPRESS)
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