ハイブリッド（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）で2022/3/22～3/26に開催される第69回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [22a-E302-3] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスのバッファ層不純物依存性
    〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  2. [22a-E302-12] N極性面半絶縁性GaN基板上Si添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価
    〇山田 真嗣1、李 太喜1、白井 雅紀2、小林 宏樹2、上村 隆一郎2、新井 学1、加地 徹1、須田 淳1 (1.名大、2.アルバック)
  3. [23p-E302-2] サブバンドギャップ光照射ICTSによるn型GaN中電子トラップの光イオン化断面積比の評価
    〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  4.  [23p-E302-4] 超低濃度Siイオン注入GaNにおける実効ドナー密度深さ方向分布のアニール温度依存性
    〇井口 紘子1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  5. [23p-E302-8] 無転位GaN p-n接合における逆バイアス下のバンド間トンネルリーク電流
    〇成田 哲生1、庄司 智幸1、長里 喜隆2、兼近 将一3、近藤 健3、上杉 勉3、冨田 一義3、池田 智史2、森 朋彦1、山口 聡1、木本 康司1、小島 淳3、須田 淳3 (1.豊田中研、2.ﾐﾗｲｽﾞ・ﾃｸﾉﾛｼﾞｰｽﾞ、3.名古屋大)
  6. [23p-E302-9] 順方向電流ストレスによるGaN p-n接合の逆方向リーク電流の増加
    〇成田 哲生1、長里 喜隆2、兼近 将一3、近藤 健3、上杉 勉3、冨田 一義3、池田 智史2、山口 聡1、木本 康司1、小嵜 正芳4、岡 徹4、小島 淳3、須田 淳3 (1.豊田中研、2.ﾐﾗｲｽﾞ・ﾃｸﾉﾛｼﾞｰｽﾞ、3.名古屋大、4.豊田合成)
  7. [23p-E302-11] ホモエピタキシャル成長GaN pn接合ダイオードの逆方向電流-電圧特性に現れるピークの起源
    〇大橋 拓斗1、兼近 将一2、近藤 健2、上杉 勉2、冨田 一義2、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  8. [24a-E302-4] 縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるしきい値変動
    〇稲垣 光希1、岡 徹1,2、田中 成明2、長谷川 一也2、泉 貴富2、須田 淳1 (1.名大、2.豊田合成)
  9. [24a-E302-5] 超高圧アニールを施したAlSiO/n-GaN MOS構造の特性評価
    〇常角 智也1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  10. [24p-E302-8] 様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性
    〇伊藤 滉二1、田中 一1,2、堀田 昌宏1,3、須田 淳1,3、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)
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