ハイブリッド（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）で2023/3/15～3/18に開催される第70回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。

  1. [17p-A301-6] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析
    〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  2. [17p-A301-7] 137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定
    〇小島 千寛1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
  3. [17p-A301-8] GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源
    〇清水 威杜1、大橋 拓斗1、冨田 一義2、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)
  4. [17p-A301-11] GaN基板の低コスト、低CO2排出に寄与するリサイクルプロセス技術の開発
    〇大原 淳士1、長屋 正武1、原 一都1、星 真一1、金村 高司1、牛島 隆志1、石田 崇1、中林 正助1、加藤 孝三1、小山 貴之1、長里 喜隆1、鶴田 和弘1、小島 淳1,2、恩田 正一1,2、上杉 勉2、田中 敦之2、笹岡 千秋2、須田 淳2、原 佳祐3、河口 大祐3、久野 耕司3、筬島 哲也3 (1.ミライズ、2.名古屋大、3.浜ホト)
  5. [17p-A301-12] GaNリサイクル基板上に作製した縦型PNDと横型MOSFETの電気特性評価
    〇石田 崇1、牛島 隆志1、中林 正助1、加藤 孝三1、小山 貴之1、長里 喜隆1、大原 淳士1、星 真一1、長屋 正武1、原 一都1、金村 高司1、鶴田 和弘1、小島 淳1,2、上杉 勉2、田中 敦之2、笹岡 千秋2、恩田 正一1,2、須田 淳2、原 佳祐3、河口 大祐3、久野 耕司3、筬島 哲也3 (1.ミライズテクノロジーズ、2.名古屋大学、3.浜松ホトニクス)
  6. [17p-A301-16] エッチング停止位置検出層の導入によるゲートリセス構造AlGaN/GaN HEMTのしきい値電圧制御性の向上
    〇大石 健介1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  7. [18a-A301-6] 縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動
    〇(M1)稲垣 光希1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、伊奈 務3、西尾 剛3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)
  8. [18a-A301-11] マイクロ波整流用AlGaN/GaNワイドリセス構造ゲーテッドアノードダイオードの高耐圧化に向けた中濃度コンタクト層の活用
    〇渡邉 智也1、高橋 英匡1、安藤 裕二1,2、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
  9. [18a-B401-7] バルクGaNの低温最高移動度の更新：14300cm2/Vs
    〇金木 奨太1、今野 泰一郎1、木村 健司1、鐘ヶ江 一孝2,3、須田 淳3,4、藤倉 序章1 (1.住友化学、2.京大院工、3.名大院工、4.名大未来研)
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