情報デバイス工学講座 先端デバイスグループ
米国ハワイ州にて2024/11/3-8に開催されたIWN 2024 (International Workshop on Nitride Semiconductors)において、当研究室から以下の発表が行われました。 653(INVITED) Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaNJun Suda, Masahiro Horita;Nagoya University, Nagoya, Aichi, Japan. 270Effects of Subsequent Annealing on Etching Resistance and Electrical Properties of n-type GaN Films Deposited by Reactive Sputteri …
ハイブリッド（熊本城ホールほか3会場＋オンライン）で2023/9/19～9/23に開催される第84回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
ハイブリッド（上智大学 四谷キャンパス＋オンライン）で2023/3/15～3/18に開催される第70回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
ハイブリッド（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン）で2022/9/20～9/23に開催される第83回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
ハイブリッド（青山学院大学 相模原キャンパス＋オンライン）で2022/3/22～3/26に開催される第69回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
固体材料素子コンファレンス(SSDM 2021, 2021/9/6-9)において当研究室から以下の発表が行われました。
オンラインにて2021/9/10～9/13に開催される第82回応用物理学会秋季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
オンラインにて2021/3/16～3/19に開催される第68回応用物理学会春季学術講演会において当研究室からは以下の発表を行います。
固体材料素子コンファレンス(SSDM 2020, 2020/9/27-30)において当研究室の石田崇氏がオーラル講演を行いました。 [D-2-02] Improvement of Channel Property of GaN Vertical Trench MOSFET by Compensating Nitrogen Vacancies with Nitrogen Plasma Treatment 〇Takashi Ishida1,2, Kyung Pil Nam1, Maciej Matys1, Tsutomu Uesugi1, Jun Suda1, Tetsu Kachi1 (1. Nagoya Univ.(Japan), 2. MIRISE Technologies Corp.(Japan))
パワー半導体デバイスおよび集積回路に関する国際シンポジウム(ISPSD 2020, 2020/9/13-18, オンライン開催)のポスターセッションにおいて当研究室の櫻井氏が発表を行いまいた。 Impacts of High Temperature Annealing Above 1400°C Under N2 Overpressure to Activate Acceptors in Mg-Implanted GaN Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Kazufumi Hirukawa, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, Jun …